| 本书内容分为六部分：第一部分为半导体物理的基本理论。主要内容包括：半导体、晶格、能带、载流子等基本概念；硅及砷化镓物理学特性；P—N结及其特性。第二部分为半导体器件。主要内容包括：双极型器件；MOS器件；微波与光电子器件。第三部分为半导体工艺。主要内容包括晶体生长、薄膜生长、光刻、腐蚀、扩散、注入等基本半导体工艺；双极型集成电路工艺；MOS集成电路工艺。第四部分为集成电路设计。主要内容包括：设计方法；综合与仿真。第五部分为MEMS。主要内容包括：MEMS概念与特点；MEMS工艺、器件与材料等。第六部分为科技文献范例。主要介绍微电子技术的现状与未来发展。 书中内容选材精良，但考虑到篇幅的限制及上下文的连惯性，对所选内容的图表及文字进行了部分删减和改动。为了有利于教学和阅读理解，帮助学生更好地理解原文，每章后面给出了主要专业词汇及难句注释，并在每部分后面列出了有关参考文献。 |
| Chapter 1 Semiconductors Physics 1.1 Energy Bands and Carrier Concentration 1.2 Carrier Transport Phenomena 1.3 PN Junction 1.4 Summary 参考文献 Chapter 2 Semiconductor Device 2.1 Bipolar Junction Transistor 2.2 The MOSFET 2.3 Microwave and Photonic Devices 2.4 Stamary 参考文献 Chapter 3 Processing Technology 3.1 Crystal Growth and Epitaxy 3.2 Crystal Growth from the Melt 3.3 Vapor-Phase Epitaxy 3.4 Oxidation and Film Deposition 3.5 Diffusion and Ion Implantation 3.6 Lithographies 3.7 Wet Chemical Etching 3.8 Dry Etching 3.9 Integrated Devices 3.10 Fundamental Limits of Integrated Devices 参考文献 Chapter 4 Integrated Circuits 4.1 Introduction 4.2 Design Analysis and Simulation 4.3 Vedficafion 4.4 Summary 参考文献 Chapter 5 Microelectromechanical Systems(MEM) 5.1 Introduction 5.2 MEMS 5.3 Mechanical Characteristics of Silicon 5.4 Microfabrications for MEMS 5.5 Micmsensing for MEMS 5.6 Electromechanical Actuation 5.7 Materials for MEMS 参考文献 Chapter 6 Examples of Scientific and Technological Papers 6.1 The Challenges for Physical Limitations in si Microelectronics 6.2 Micmelectronics and Photonics—the Future 6.3 Accelerated Verification of Digital Devices Using VHDL 6.4 What Is Nanotechnology 参考文献 |
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