| 第1章 绪论 1.1 引言 1.2 微电子学向纳电子学发展及限制 1.2.1 微电子学向纳电子学发展 1.2.2 微纳电子器件的技术限制 1.3 纳电子学的研究与发展 1.3.1 纳电子学研究 1.3.2 纳电子学的发展 1.4 纳电子器件 1.4.1 引言 1.4.2 纳电子器件种类 1.4.3 纳电子器件应用 参考文献 第2章 纳电子学基础 2.1 纳结构中量子效应 2.1.1 电导量子 2.1.2 弹道输运 2.1.3 普适电导涨落 2.1.4 库仑阻塞 2.1.5 量子相干效应 2.2 Landauer-Bfittiker电导公式 2.2.1 两端单通道Landauer电导公式 2.2.2 两端多通道Bfittiker电导公式 2.2.3 弹道结构的电导系数 2.3 单电子隧穿 2.3.1 单电子隧穿现象及条件 2.3.2 电流偏置单隧道结 2.3.3 单电子岛（双隧道结） 2.3.4 电子输运的主方程 2.4 库仑台阶和库仑振荡 2.4.1 引言 2.4.2 库仑台阶 2.4.3 库仑振荡 参考文献 第3章 共振隧穿器件 3.1 共振隧穿效应 3.1.1 共振隧穿现象 3.1.2 共振隧穿机理 3.2 共振隧穿器件输运理论 3.2.1 量子力学基础 3.2.2 双势垒量子阱结构共振隧穿二极管的两种物理模型 3.3 共振隧穿二极管的特性分析 3.3.1 共振隧穿二极管的特性及参数 3.3.2 散射和材料结构对器件特性的影响 3.4 共振隧穿二极管模型 3.4.1 电路模拟模型 3.4.2 物理基础的RTD模型 3.5 RTD器件的数字电路 3.5.1 RTD的基本电路 3.5.2 单-双稳转换逻辑单元的工作原理 3.5.3 单-双稳转换逻辑单元构成的数字电路 3.5.4 基于RTD的多值逻辑电路设计 3.6 RTD的模拟电路及其应用 3.6.1 振荡器电路 3.6.2 细胞神经网络神经元电路 3.6.3 混沌振荡器电路 参考文献 第4章 单电子器件 4.1 单电子盒 4.2 单电子陷阱 4.3 单电子晶体管 4.3.1 SET的结构及原理 …… 第5章 量子点器件 第6章 SETMOS混合器件 第7章 碳纳米管器件 第8章 纳电子器件应用中的问题 参数符号 缩略语 |
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