| 本书以英语作为载体，介绍了半导体物理的基本理论、半导体器件原理及MEMS设计的相关知识。主要内容包括：半导体、杂质、能带、晶格等基本概念，二极管的结构、电流一电压特性、开关特性，双极型、MOS晶体管的电流一电压方程、瞬变特性、开关特性、击穿特性及较新的结构设计，同时介绍了MEMS的基本概念、设计方法、应用及未来发展方向。 |
| 1 半导体基础 1.1 半导体材料 1.2 晶体结构 1.3 波尔原子模型 1.4 固体材料价键模型 1.5 固体材料的能带模型 1.6 半导体中的自由载流子密度 1.7 施主杂质与受主杂质 2 载流子的输运与复合 2.1 电子与空穴的散射与漂移 2.2 漂移电流 2.3 载流子扩散 2.4 载流子产生与复合过程 3 二极管特性 3.1 介绍 3.2 理想PN结(定性) 3.3 理想同质PN结(定量) 3.4 PN结小信号阻抗 3.5 二极管的开关特性 4 双极型晶体管的静态特性 4.1 介绍 4.2 输出特性 4.3 电流增益 4.4 理想晶体管模型 4.5 缓变基区晶体管 4.6 基区宽度调变效应(EARLY效应) 4.7 晶体管的电流集边效应与基区电阻 4.8 大注入效应 4.9 基区扩展效应(KIRK效应) 4.10 发射结的复合 4.11 击穿电压 4.12 直流EBERS-MOLL基本模型 5 双极型晶体管的动态特性 5.1 交流EBERS-MOLL模型 5.2 小信号等效电路 5.3 双极型晶体管的储藏电荷电容 5.4 晶体管的频率响应 5.5 高频晶体管 5.6 开关晶体管 6 MOSFET晶体管的静态特性 6.1 介绍 6.2 MOS结构特性 6.3 MOSFET晶体管的电流电压方程 6.4 横向电场＆L与纵向电场＆L的影响 6.5 沟道电荷QCH讨论 6.6 MOSFET晶体管的阈电压 7 MOSFET晶体管的动态特性 7.1 介绍 7.2 阈电压与低场迁移率的测量 7.3 亚阈值条件下的电流 7.4 CMOSFETs 7.5 CMOS反转电流作用下的开关特性 7.6 MOSFET晶体管的开关特性 7.7 电流增益截止频率 7.8 MOSFET晶体管短沟道效应 7.9 MOSFET晶体管的比例 7.10 SOI结构上的MOSFEI晶体管 7.11 MOS电容 7.12 其他场效应晶体管 8 MEMS工艺微电子机械系统 8.1 介绍 8.2 微机电加工系统(MEMS) 8.3 MEMS制备工艺 8.4 MEMS传感器 8.5 MEMS发展展望 附录 附录1 附录2 参考文献 |
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