| 第1章 太阳能电池和太阳光1.1 引言1.2 太阳能电池发展概况1.3 阳光的物理来源1.4 太阳常数1.5 地球表面的日照强度1.6 直接辐射和漫射辐射1.7 太阳的视运动1.8 日照数据1.9 小结习题参考文献第2章 半导体的特性2.1 引言2.2 晶体结构和取向2.3 禁带宽度2.4 允许能态的占有几率2.5 电子和空穴2.6 电子和空穴的动力学2.7 允许态的能量密度2.8 电子和空穴的密度2.9 Ⅳ族半导体的键模型2.10 Ⅲ族和V族掺杂剂2.11 载流子浓度2.12 掺杂半导体中费米能级的位置2.13 其他类型杂质的影响2.14 载流子的传输2.14.1 漂移2.14.2 扩散2.15 小结习题参考文献第3章 产生、复合及器件物理学的基本方程3.1 引言3.2 光与半导体的相互作用3.3 光的吸收3.3.1 直接带隙半导体3.3.2 间接带隙半导体3.3.3 其他吸收过程3.4 复合过程3.4.1 从弛豫到平衡3.4.2 辐射复合3.4.3 俄歇复合3.4.4 经由陷阱的复合3.4.5 表面复合3.5 半导体器件物理学的基本方程3.5.1 引言3.5.2 泊松方程3.5.3 电流密度方程3.5.4 连续性方程3.5.5 方程组3.6 小结习题参考文献第4章 p-n结二极管4.1 引言4.2 p-n结的静电学4.3 结电容4.4 载流子注人4.5 准中性区内的扩散流4.6 暗特性4.6.1 准中性区中的少数载流子4.6.2 少数载流子电流4.7 光照特性4.8 太阳能电池的输出参数4.9 有限电池尺寸对I0的影响4.10 小结习题参考文献第5章 效率的极限、损失和测量5.1 引言5.2 效率的极限5.2.1 概要5.2.2 短路电流5.2.3 开路电压和效率5.2.4 黑体电池的效率极限5.3 温度的影响5.4 效率损失5.4.1 概要5.4.2 短路电流损失5.4.3 开路电压损失5.4.4 填充因子损失5.5 效率测量5.6 小结习题参考文献第6章 标准硅太阳能电池工艺6.1 引言6.2 由砂还原为冶金级硅6.3 冶金级硅提纯为半导体级硅6.4 半导体级多晶硅转变为单晶硅片6.5 单晶硅片制成太阳能电池6.6 太阳能电池封装成太阳能电池组件6.6.1 组件结构6.6.2 电池的工作温度6.6.3 组件的耐久性6.6.4 组件电路设计6.7 能量收支结算6.8 小结习题参考文献第7章 硅电池工艺的改进7.1 引言7.2 太阳能电池级硅7.3 硅片7.3.1 硅片的要求7.3.2 铸锭工艺7.3.3 带状硅7.4 电池的制造和互联7.5 候选工厂的分析7.6 小结习题参考文献第8章 硅太阳能电池的设计8.1 引言8.2 主要考量8.2.1 光生载流子的收集几率8.2.2 结深8.2.3 顶层的横向电阻8.3 衬底的掺杂8.4 背面场8.5 顶层的限制8.5.1 死层8.5.2 高掺杂效应8.5.3 对饱和电流密度的影响8.6 上电极的设计8.7 光学设计8.7.1 减反射膜8.7.2 绒面8.8 光谱响应8.9 小结习题参考文献第9章 其他器件结构9.1 引言9.2 同质结9.3 半导体异质结9.4 金属一半导体异质结9.5 实用的低电阻接触9.6 MIS太阳能电池 |
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