| 一、特邀报告 中国集成电路材料的发展和展望 电子微组装技术的可靠性研究新进展 GaN基电子器件与可靠性研究进展 Unified Compact Modeling of Emerging Multiple－Gate MOSFETs Instability of High-k Dielectric Films and Its Influence on the Reliability of Nanoscale MOS Device Ferrite-Integrated Inductor for RF IC 二、微电子与元件可靠性 国产VDMOS辐射效应研究 半导体器件的失效率和计算方法 从硅基裸芯片到微波裸芯片的应用研究 在提高芯片电磁兼容性方面的物理设计研究 BGA焊点的有限元模拟仿真方法 可制造设计及其在深亚微米阶段的挑战 一种改进的GCNMOS ESD保护结构 质子SEU率计算模型及其对比 中带电压法分离MOSFET氧化层陷阱电荷与界面态电荷 超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究 NMOS器件ESD特性模拟 微波功率晶体管的发展和应用前景 环境温度对热载流子注入效应的影响 芯片产品质量与可靠性保障技术与标准 MOSFET迁移率随温度变化关系研究 PMOSFET中NBTI效应的寿命评价 ESD应力下多指条MOS器件的栅过耦合效应及对策 ESD加固设计的CAD工具 偏置条件对PMOS器件X射线总剂量效应的影响 基于高端应用的陶瓷柱栅阵列封装焊点可靠性 “爆米花”效应导致的塑封器件失效及评价方法 铜一低k集成技术的失效模式及失效分析 端口电测技术在失效分析定位中的应用 GaAs PHEMT器件栅金属下沉效应及其对性能的影响 无铅BGA／有铅焊锡膏混装焊点的典型可靠性问题 高效同相降压—升压DC／DC转换器的设计 一种低电场干扰的FAIMS离子迁移管结构设计 一种新型结构的硅微加速计的设计 聚合物材料中RollS管制物质六价铬检测方法研究 微波组件热模拟分析方法研究 限波器簧片失效原因分析与对策 镀层材料对键合质量的影响 浅谈提高电子元器件的使用可靠性 LED常见失效模式及机理研究 固体钽电解电容器结构、特点和失效机理的研究 DC／DC变换器可靠性探讨 MLCC的材料、结构特点及常见失效模式 破坏性物理分析（DPA）方法在识别假冒、翻新集成电路中的应用 三、电子设备质量与可靠性 基于模糊Markov过程的系统可用度分析 星载合成孔径雷达电子设备的力学环境适应性分析 工作频率对有机复合绝缘子耐压性能影响研究 以可靠性为中心的型号质量管理 无铅转移的可制造性与可靠性 印制线路板CAF失效分析 纯锡镀层表面晶须评估方法与对策 化学镍金焊盘的两大潜在问题及其预防 波传输件镀银锈蚀原因探讨 四、电子设计、制造与控制 基于0.5pLm CMOS工艺的高压器件研究 IP核设计与复用 一种用于LVDS的高速低功耗8位并串转换器 DDR2 SDRAM控制器的设计与实现 MPEG-2视频解码分析器的FPGA设计 基于FPGA的DDR SDRAM控制器的设计 LDMOS全耗尽漂移区的电流计算方法 半导体器件模拟技术及软件发展与现状 基于FPGA的SoC芯片软硬件协同验证平台的设计 基于PCCM模式SIMO开关电源的优化设计 Ku波段固态功率放大合成器的仿真设计 一种S波段PIN开关的设计 用于相控阵的模拟移相器设计 基于IGBT的雷达天线伺服控制器设计 FPGA系统设计中的内部逻辑在线测试技术研究 一种Verilog—A的SCR简洁电路级模型 基于3-LevelΣ-△调制器的优化设计 基于MATLAB的二阶锁相环误差响应仿真与分析 驾驶员疲劳检测系统的SoC的设计 …… 五、信息与通信技术 六、计算机与软件工程 |
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