| 本书内容丰富，围绕当代集成电路制造的基础工艺，重点介绍所涉及的基本原理，并就当前集成电路芯片制造技术的最新发展作了较为详尽的阐述,较好地反映当代集成电路制造技术的现状。书中还包含有作者多年来从事该技术领域的教学和研究所取得的诸多成果。 |
| 李惠军，山东日照人。1952年生于济南。1975年毕业于南京邮电学院一系半导体器件专业。现为山东大学信息科学与工程学院教授、硕士研究生导师，兼任山东大学孟完微电子研发中心主任。中国电子学会《CIE)高级会员，信息产业部《微纳电子技术》特邀编委。 主要教学与科研方向超大规模集成电路制造工艺技术的研究；超大规模专用集成电路(ASIC)的一体化设计研究：超大规模集成电路SOC（片上系统)芯片的下CAD一体化设计、仿真与优化研究深亚微米，超深亚微米及纳米集成化器件ICCAD工艺级与器件物理级可制造性设计领域的硕究。 近年来，承担并完成了三项省、部级科研与教学立项。曾获山东省科学技术进步二等奖一项，由东省省教委科技进步一等奖一项，由东省省级教学成果一等奖一项。山东省省级教学成果二等奖一项{均为首位)。 近五年来，独立编著、主编著作四部：1《计算机辅助设计在微电子技术领域中的应用》ISBN7—5636—1365—x（独立编著），石油大学出版社；2《集成电路制造技术》ISBN7—90033—29—x（主编)，山东省出版总社；3《集成电路工艺设计仿真与教学平台》ISBN7—900313—99—O（主编)，山东电子音像出版社；4《现代集成电路制造技术一原理与实践》多媒体．交互式、立体化教程ISBN47—89496—924—9(主编)，电子工业出版社。近十年，发表学术论文七十余篇。 |
| 绪论 第1章 硅材料及衬底制备 §1．1半导体材料的特征与属性 §1．2半导体材料硅的结构特征 §1．3半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 §1．4集成电路技术的发展和硅材料的关系 §1．5关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备 §1．6半导体硅材料的提纯技术 1．6．1精馏提纯四氯化硅技术及其提纯装置 1．6．2精馏提纯四氯化硅的基本原理 §1．7直拉法生长硅单晶 §1．8硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用 小结 习题与解答 参考文献 第2章 外延生长工艺原理 §2．1关于外延生长技术 §2．2外延生长工艺方法概论 2．2．1典型的水平反应器硅气相外延生长系统简介 2．2．2硅化学气相淀积外延生长反应过程的一般描述 §2．3常规硅气相外延生长过程的动力学原理 §2．4常规硅气相外延生长过程的结晶学原理 §2．5关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件 2．5．1外延生长过程中的掺杂 2．5．2 外延生长速率与反应温度的关系 2．5．3外延生长层内的杂质分布 2．5．4外延生长缺陷 2．5．5外延生长之前的氯化氢气相抛光 2．5．6典型的外延生长工艺流程 2．5．7工业化外延工序的质量控制 §2．6发生在硅气相外延生长过程中的二级效应 2．6．1外延生长过程中基片衬底杂质的再分布效应 2．6．2外延生长过程中掺入杂质的再分布 小 结 习题与解答 参考文献 第3章 氧化介质薄膜生长 §3．1氧化硅介质膜的基本结构 §3．2二氧化硅介质膜的主要性质 §3．3氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理 §3．4氧化硅介质膜的热生长动力学原理 §3．5典型热生长氧化介质膜的常规生长模式 小结 习题与解答 参考文献 第4章 半导体的高温掺杂 §4．1固体中的热扩散现象及扩散方程 §4．2常规高温热扩散的数学描述 §4．3常规热扩散工艺简介 §4．4实际扩散行为与理论分布的差异 §4．5扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应 §4．6深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型 小结 习题与解答 参考文献 第5章 离子注入低温掺杂 §5．1离子注入掺杂技术的特点 §5．2关于离子注人技术的理论描述 §5．3关于离子注入损伤 §5．4离子注入退火 §5．5离子注入设备 §5．6离子注入的工艺实现 小结 习题与解答 参考文献 第6章 薄膜气相淀积工艺 §6．1常用的几种化学气相淀积方法 6．1．1常压化学气相淀积(APCVD) 6．1．2低压化学气相淀积(LPCVD) 6．1．3等离子体增强化学气相淀积(PECVD) §6．2 晶圆CVD加工需求最多的几种介质薄膜 6．2．1二氧化硅(Si02)介质薄膜 6．2．2多晶硅(POS)介质 6．2．3氮化硅(Si3N4)介质薄膜 §6．3化学气相淀积(CVD)的安全性 小结 习题与解答 参考文献 第7章 图形光刻工艺原理 §7．1关于光致抗蚀剂 §7．2常规光刻工艺原理 7．2．1涂胶 7．2．2前烘 7．2．3曝光 7．2．4显衫 7．2．5坚膜 7．2．6腐蚀 7．2．7去胶 小结 习题与解答 参考文献 第8章 掩模制备工艺原理 §8．1集成电路掩模版的制备 §8．2光刻掩模版设计和制备的基本过程 8．2．1原图绘制 8．2．2初缩 8．2．3精缩兼分步重复 §8．3当代计算机辅助掩模制造技术 8．3．1原图数据处理系统 8．3．2版图修改 8．3．3版图验证 8．3．4版图尺寸修正 小结 习题与解答 参考文献 第9章 超大规模集成工艺 §9．1当代微电子技术的飞速发展与技术进步 §9．2当代超深亚微米级层次的技术特征 §9．3超深亚微米(VDSM)层次下的小尺寸效应 9．3．1热载流子退化效应 9．3．2短沟道效应 9．3．3漏、源穿通效应 …… |
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