| 为了使相关读者更深入了解掌握微电子工艺技术的原理，本书前部分主要介绍了集成电路制备工艺中有关的物理、化学知识，第4章至第10章是全书重点，介绍了工艺过程、工艺设备以及IC制备中的新技术、新方法。全书共分10章，主要内容涉及半导体硅材料及化合物的化学性质，高纯水的制备，清洗技术，氧化、扩散、刻蚀、制版、外延、金属化处理、电子封装等主要工艺的原理等。 本书可作为高等院校相关专业的教材，也可作为教师和研究生的参考用书，同时也能供广大从事微电子相关领域的工程技术人员参考。 |
| 1 硅材料及硅化合物化学性质 1.1 硅单晶的化学性质 1.2 硅化合物的化学性质 1.3 高纯硅制备的化学原理 参考文献 2 微电子技术中的高纯水制备 2.1 天然水中的杂质 2.2 微电子技术工程用水 2.3 离子交换法制备纯水 2.4 电渗析法制备纯水的原理 2.5 反渗透法制备纯水的原理 参考文献 3 微电子技术中的化学清洗 3.1 晶片表面清洗的重要性 3.2 晶片清洗的基本理论和方法 3.3 颗粒吸附状态分析及优先吸附模型 3.4 表面活性剂在化学清洗中的应用 3.5 硅片清洗的常用方法与技术 3.6 清洗工艺设备和安全操作 3.7 溶液清洗技术的现状和发展方向 3.8 新型清洗技术 参考文献 4 氧化工艺技术 4.1 二氧化硅膜在器件中的作用 4.2 二氧化硅的结构和性质 4.3 二氧化硅膜制备的化学原理 4.4 二氧化硅一硅界面的物理性质 4.5 二氧化硅玻璃中的杂质 4.6 杂质在二氧化硅中的扩散 4.7 二氧化硅膜质量的检验 参考文献 5 扩散工艺技术 5.1 扩散原理与模型 5.2 常用扩散杂质的化学性质 5.3 扩散分布的测量分析 参考文献 6 刻蚀工艺技术 6.1 湿法刻蚀 6.2 干法刻蚀 6.3 刻蚀技术新进展 参考文献 7 制版工艺技术 7.1 制版工艺过程 7.2 超微粒干版制备的化学原理 7.3 铬版制备技术 7.4 氧化铁版制备的化学原理 参考文献 8 外延生长技术 8.1 硅外延技术在IC发展中的作用 8.2 硅外延生长的化学原理 8.3 外延生长动力学 8.4 外延层中杂质浓度分布 8.5 硅烷热分解法外延与选择外延 8.6 外延层上的缺陷及检验 8.7 硅外延自掺杂效应及控制 8.8 硅外延片滑移线产生及消除技术 8.9 硅外延生长的工艺优化——反向补偿法 参考文献 9 金属化处理技术 9.1 化学气相沉积金属过程 9.2 物理气相沉积金属过程 9.3 电极制备 参考文献 10 电子封装技术 10.1 封装技术概述 10.2 陶瓷封装 10.3 塑料封装 10.4 封 |
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