| 前言 1 碳化硅晶体的多型结构与表征 1.1晶体的多型 1.2碳化硅晶体的结构层与基本结构单元 1.3碳化硅晶体多型的共生与连生 1.43C—sic多型的结构 1.52H—sic多型的结构 1.64H—sic多型的结构 1.76H—sic多型的结构 1.815R—sic多型的结构 1.9碳化硅晶体多型结构参数的变化 1.10碳化硅晶体多型结构鉴别概述 1.11X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构 1.12高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构 1.13吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构 1.14拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构 符号说明和注解 2 碳化硅晶体的物理气相输运（PVT）法生长 2.1硅—碳二元体系和硅—碳—金属元素三元体系的相图 2.2固态碳化硅分解升华的热力学研究 2.3PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程 2.4PVT法碳化硅晶体生长系统概述 2.5PVT法碳化硅晶体生长模型研究 2.6PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量 2.7PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合 2.8生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变 2.9石墨坩埚生长腔内温度场的演变 符号说明和注解 3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制 3.1气相组分概述 3.2PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制 3.3气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位 3.4纯硅气相组分sim的稳定构型与能量 3.5纯碳气相组分cn的稳定构型与能量 3.6硅碳气相组分simcn的稳定构型与能量 3.7气相组分simcn构型的转变 3.8气相组分simcn的化学序 3.9气相组分simcn的相互作用 3.10气相组分simcn在生长界面上的结晶 符号说明和注解 4 碳化硅晶体的结晶缺陷 4.1碳化硅晶体结晶缺陷概述 4.2碳化硅晶片结晶质量的整体评价 4.3碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价 4.4多型共生缺陷 4.5镶嵌结构缺陷 4.6堆垛层错 4.7孔道与微管道 符号说明和注解 后记 |
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