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MOS集成电路工艺与制造技术
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最 低 价:
¥64.40
定 价:¥85.00
作 者:
潘桂忠
著
出 版 社:
上海科学技术出版社
出版时间:2011年5月30日
I S B N:9787547809808
价格比较
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MOS集成电路工艺与制造技术
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内容简介
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《MOS集成电路工艺与制造技术》编著者潘桂忠。
本书技术含量高,非常实用,可作为从事MOS集成电路制造、设计等方面工程技术人员重要的参考资料,也可以作为微电子专业高年级本科生的、重要参考书,亦可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。
集成电路各种剖面结构和工艺制程图示的复制引用、转载时,必须得到本版权所有者的同意,否则将依法追究责任。
作者简介
目录
第1章 硅衬底与清洗
1.1 硅晶圆
1.2 P型硅衬底
1.3 N型硅衬底
1.4 Pepi/P或Pepi/P+型硅衬底
1.5 Nepi/P或Nepi/N+型硅衬底
1.6 硅片激光编号
1.7 硅片清洗分类及其步骤
1.8 硅片各种清洗液及其清洗
第2章 热氧化
第3章 热扩散
第4章 离子注入及其退伙
第5章 硅外延
第6章 化学气相淀积
第7章 光刻
第8章 腐蚀和刻蚀
第9章 金属化
第10章 表面钝化
第11章 CMOS工艺集成
第13章 Bicmos工艺集成
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