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(特价书)半导体器件:计算和电信中的应用

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(特价书)半导体器件:计算和电信中的应用

最 低 价:¥12.24

定 价:¥36.00

作 者:(美)Kevin F.Brennan

出 版 社:机械工业出版社

出版时间:2010 年5月

I S B N:9787111298366

商品详情

编辑推荐

内容简介

本书从半导体基础开始,介绍了目前电信和计算产业中半导体器件的发展现状,在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬件和射频功率放大器的实现方法,阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。
  本书首先讨论了半导体的基本特性;接着介绍了基本的场效应器件modfet和mosfet,以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战;最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。
  本书不仅可以作为研究生教材,也可为本领域工程师和研究人员提供参考。

作者简介

Kevin F.Brennan,曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被佐治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授,同年还获得特别贡献奖,以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年,他获得佐治亚理工大学教职会员最高荣誉——杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。
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目录

译者序
前言
第1章半导体基础1
1.1半导体的定义1
1.2平衡载流子浓度与本征材料4
1.3杂质半导体材料9
思考题12
第2章载流子的运动14
2.1载流子的漂移运动与扩散运动14
2.2产生-复合18
2.3连续性方程及其解21
思考题23
第3章结24
3.1处于平衡状态的pn结24
3.2不同偏压下的同质pn结30
3.3理想二极管行为的偏离36
3.4载流子的注入、拉出、电荷控制
分析及电容39
3.5肖特基势垒44
思考题47
.第4章双极结型晶体管50
4.1bjt工作原理50
4.2bjt的二阶效应59
4.2.1基区漂移59
4.2.2基区宽度调制/early效应60
4.2.3雪崩击穿60
4.3bjt的高频特性62
思考题63
第5章结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管65
5.1jfet工作原理65
5.2mesfet和modfet工作原理67
5.3jfet和mesfet的定量描述71
5.4jfet小信号模型76
思考题78
第6章金属-绝缘体-半导体结构和mosfet80
6.1平衡态下的mis系统80
6.2加偏压时的mis结构83
6.3mosfet的基本工作原理91
6.4mesfet和mosfet的小信号特性98
6.5cmos电路101
思考题104
第7章短沟道效应及其对cmos的挑战107
7.1短沟道效应107
7.2尺寸缩小理论112
7.3cmos进一步小型化中遇到的挑战116
思考题118
第8章超越cmos119
8.1超越cmos之外的发展119
8.2碳纳米管123
8.3传统计算与感知计算、分子和生物计算125
8.4分子电子学——分子二极管和二极管—二极管逻辑门127
8.5容错计算130
8.6量子原胞自动机132
思考题138
第9章电信系统概述139
9.1光纤传输139
9.2放大器与中继器141
9.3移动蜂窝电信系统142
9.4蜂窝系统的器件类型144
第10章光电器件——发射器、光放大器和探测器146
10.1发光二极管146
10.2受激发射150
10.3激光器工作原理154
10.4半导体激光器的类型156
10.5掺铒光纤放大器160
10.6半导体光放大器162
10.7p-i-n光电探测器163
10.8雪崩二极管166
思考题170
第11章无线系统中高频大功率晶体管171
11.1无线传输系统中晶体管的特性171
11.2异质结175
11.3modfet器件178
11.4异质结双极晶体管(hbts)181
11.5宽带隙半导体183
思考题186
参考书目187

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