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作 者：（美）Richard S.Muller,Theodore I.Kamins,Mansun Chan 著
出 版 社：电子工业出版社
出版时间：2004 年11月
I S B N：7121005263
| Richard S．Muller 自20世纪60年代早期硅集成电路发明以来，Richard S．Muller一直从事这一领域的研究工作。他于1962年在加州理工学院获得博士学位。此后加入加州大学伯克利分校，进行前瞻性的研究与教学工作。通过与校内的电路设计人员，器件专家和工艺人员的合作，以及在硅谷几家公司的咨询活动，他在集成电路领域获得了相当的知名度和实践经验。这样的经历为他的新课程的建立提供了坚实的基础。该课程的名称后来被用作本书的书名，并且他已经给伯克利分校的多届学生教授这门课程。70.. << 查看详细 |
| 第1章 半导体电学特性 1.1 半导体材料物理 1.1.1 固体的能带模型 1.1.2 空穴 1.1.3 成键模型 1.1.4 施主和受主 1.1.5 热平衡统计 1.2 半导体中的自由载流子 1.2.1 漂移速度 1.2.2 迁移率和散射 1.2.3 扩散电流 1.3 器件：霍尔效应磁传感器 1.3.1 霍尔效应的物理机制 1.3.2 集成霍尔效应磁传感器 小结 参考文献 参考书 习题 第2章 硅工艺 2.1 硅平面工艺 .2.2 晶体生长 2.3 热氧化 氧化动力学 2.4 光刻和图形转移 2.5 掺杂和扩散 2.5.1 离子注入 2.5.2 扩散 2.6 化学气相淀积 2.6.1 外延 2.6.2 非外延薄膜 2.7 互连和封装 2.7.1 互连 2.7.2 测试和封装 2.7.3 污染 2.8 化合物半导体工艺 2.9 数值模拟 2.9.1 模拟的基本概念 2.9.2 网格 2.9.3 工艺模型 2.9.4 器件模拟 2.9.5 模拟面临的挑战 2.10 器件：集成电路中的电阻 小结 参考文献 参考书 习题 第3章 金属-半导体接触 3.1 电子系统中的平衡 3.2 理想的金属-半导体结 3.2.1 能带图 3.2.2 电荷、耗尽区和电容 3.3 电流-电压特性 3.3.1 schottky势垒 3.3.2 mott势垒 3.4 非整流(欧姆)接触 3.4.1 隧道接触 3.4.2 schottky欧姆接触 3.5 表面效应 3.5.1 表面态 3.5.2 金属-半导体接触的表面效应 3.6 金属-半导体器件：schottky二极管 小结 参考文献 参考书 习题 第4章 pn结 4.1 缓变杂质分布 4.2 pn结 4.2.1 突变结 4.2.2 线性缓变结 4.2.3 异质结 4.3 反偏pn结 4.4 结的击穿 4.4.1 雪崩击穿 4.4.2 zener击穿 4.5 器件：结型场效应晶体管 4.5.1 pn结场效应晶体管(jfet) 4.5.2 金属-半导体场效应晶体管(mesfet) 小结 参考文献 参考书 习题 第5章 pn结中的电流 5.1 连续性方程 5.2 产生与复合 5.2.1 局域态：俘获和发射 5.2.2 shockley-hall-read复合 5.2.3 过剩载流子寿命 5.3 pn结电流电压特性 5.3.1 边界少数载流子浓度 5.3.2 理想二极管分析 5.3.3 空间电荷区电流 5.3.4 异质结 5.4 电荷存储与二极管瞬变特性 5.5 器件建模和模拟 5.5.1 集总元件模型 5.5.2 分布式模拟 5.6 器件 5.6.1 集成电路二极管 5.6.2 发光二极管 小结 参考文献 参考书 习题 第6章 双极晶体管ⅰ：基本特性 6.1 晶体管工作原理 6.1.1 原型晶体管 6.1.2 集成电路晶体管 6.2 放大偏置 6.3 晶体管开关工作 6.4 ebers-moll模型 6.5 器件：平面双极放大和开关晶体管 6.6 器件：异质结双极晶体管 6.6.1 双异质结双极晶体管 6.6.2 准中性基区的带隙缓变 小结 参考文献 参考书 习题 第7章 双极晶体管ⅱ：局限性与模型化 7.1 基区宽度凋变效应(early效应) 7.2 发射结低偏置效应和高偏置效应 7.2.1 发射结低偏置电流 7.2.2 大注入 7.2.3 基区电阻 7.3 基区渡越时间 7.4 电荷控制模型 7.5 晶体管小信号模型 7.6 双极晶体管的频率限制 7.7 计算机模拟中的双极晶体管模型 7.8 器件：pnp双极晶体管 7.8.1 衬底pnp晶体管 7.8.2 横向pnp晶体管 小结 参考文献 习题 第8章 金属-氧化物-半导体系统的性质 8.1 理想mos结构 8.1.1 热平衡能带图 8.1.2 多晶硅栅和金属栅 8.1.3 平带电压 8.2 理想mos结构的分析 8.3 mos电学特性 8.3.1 硅衬底中的电荷模型 8.3.2 热平衡状态 8.3.3 非平衡状态 8.4 mos系统的电容 8.4.1 理想mos系统的c-v特性 8.4.2 c-v测量中的实际因素 8.4.3 准静态(低频)c-v测量 8.5 非理想mos系统 8.5.1 氧化层及界面态电荷 8.5.2 氧化层电荷的起源 8.5.3 氧化层电荷的实验测定 8.6 pn结的表面效应 8.7 mos电容器及电荷耦合器件 8.7.1 mos存储器 8.7.2 电荷耦合器件 小结 参考文献 习题 第9章 mos场效应晶体管ⅰ：物理效应和模型 9.1 mosfet的基本工作原理 9.1.1 强反型区 9.1.2 沟道长度调制 9.1.3 衬偏效应 9.1.4 体电荷效应 9.1.5 离子注入调整阈值电压 9.1.6 耗尽型mosfet 9.1.7 亚阈值区 9.1.8 小信号等效电路模型 9.2 短沟mosfet的改进模型 9.2.1 长沟分析的局限性 9.2.2 短沟效应 9.2.3 迁移率乏下降 9.2.4 速度饱和 9.2.5 短沟mosfet的漏极电流 9.2.6 mosfet的按比例缩小和短沟模型 9.3 器件：互补mosfet-cmos 9.3.1 cmos的设计考虑 9.3.2 mosfet参数和参数提取 9.3.3 cmos的闩锁效应 9.4 展望未来 9.4.1 按比例缩小的目标 9.4.2 栅耦合 9.4.3 速度过冲 小结 参考文献 习题 第10章 mos场效应晶体管ⅱ：强场效应 10.1 速度饱和区的电场 10.1.1 准二维模型 10.2 衬底电流 10.2.1 热载流子效应 10.2.2 衬底电流模型 10.2.3 衬底电流对漏极电流的影响 10.3 栅极电流 10.3.1 幸运电子模型 10.3.2 低栅压载流子注入 10.3.3 p沟道mosfet的栅极电流 10.4 器件退化 10.4.1 n沟道mosfet的退化机制 10.4.2 n沟道mosfet退化的表征 10.4.3 器件寿命的加速测量 10.4.4 减小漏场的结构 10.4.5 p沟道mosfet的退化 10.5 器件：mos不挥发存储器结构 10.5.1 浮栅存储单元的编程 10.5.2 浮栅存储单元的擦除 10.5.3 浮栅存储阵列 小结 参考文献 习题 部分参考答案 附录 索引 |
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