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半导体的电子结构与性能(第4卷)

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半导体的电子结构与性能(第4卷)

最 低 价:¥65.70

定 价:¥73.00

作 者:(英)W.施罗特尔

出 版 社:科学出版社

出版时间:2001 年2月

I S B N:7030075250

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内容简介

本卷主要介绍半导体的电子结构与性能。本卷共11章。第1章至第4章主要阐述半导体中的能带理论、光学性质和电荷输送,本征点缺陷及深中心;第5章至第8章叙述平衡、非平衡,扩散"和淀积,位错,半导体中的晶界及界面;第9章至第11章介绍量子线中的霍尔效应,氢化无定形硅的材料特性,硅中3d过渡元素的高温特性。
   本卷可供材料科学、物理、金属学、电子、机械、航空、航天等研究、教学及生产的科学技术工作者阅读、参考。
  

作者简介

目录

1 半导体中的能带理论
2 光学性质和电输运
3 半导体中的本征点缺陷
4 半导体中的深中心
5 平衡、非平衡、扩散和沉淀
6 位错
7 半导体中的晶界
8 界面
9 量子线中的霍尔效应
10 氢化无定形硅的材料特性
11 硅中3d过渡元素的高温特性
索引

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