| …作为集成电路基本组成单元的半导体器件的发展．是过去5。多年电子工业高速发-：展的主要原因。由于信息时代对更快速和更复杂系统的持续需求，不仅已有的半导体-器件得到改进、完善，新的器件也在不断涌现，因此相关文献涉及的器件种类繁多、：j变化丰富。作为全面收集半导体器件的工程学指南专著的第二版，本书继续保持了在。这个意义上的唯一性：总共收集了74类、200多种器件。 与初版一样，本书的价值体现在其内容全面。以及通俗易懂的表达方式和易于使用的编排形式．使得本书适用于广泛的读者群体。 列出了关键信息．方便快速浏览 每～章节对应某种特定的器件，便于参考文献的集中检索 从历史，结构、特性、应用等方面详细介绍了每种器件 第二版在原来的基础上新增了八章，并且重新编排以反映该领域的最新进展。不仅如此，本书继承了初版的优点：对于刚刚毕业想要对本行业有快速了解的大学生以及想要高效获取基本信息的从业者和研究人员而言，本书是理想的参考资料对于销售人员。律师以及任何与半导体行业有关的人员，本书是很有价值的实用手册。1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位，1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位：自1 980年起，在位于新泽西州墨累山(Murrav Hill)的杰尔系统(最早属于AT&T的贝尔实验室．后因AT&T被拆分归属于朗讯科技．已于2007年被LsI Logic兼并)担任技术主管：主要从事si MOS器件．SiGe异质结双极型晶体管、以及新近出：现的化合物半导体高速高功率器件方面的研究;还担任了 Electron Device Letters的编辑以及IEEE出版社的联络员。 Copies 0f this。book sold without—a Wiley sticker on the cover are unauthorized and illegal． |
| 伍国珏，1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位，1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位：自1980年起，在位于新泽西州墨累山（MurrayH）的杰尔系统（最早属于AT&T的贝尔实验室，后因AT＆T被拆分归属于朗讯科技，已于2007年被Lsl Logic兼并）担任技术主管：主要从事siMOS器件、SiGe异质结双极型晶体管、以及新近出现的化合物半导体高速高功率器件方面的研究：还担任了IEEE Electron Device Letterls的编辑以及IEEE出版社的联络员。 |
| 再版前言前言引言二极管Ⅰ：整流器第1章 p—n结二极管1．1 历史1．2 结构1．3 特性1．4 应用1．5 相关器件1．5．1 齐纳二极管1．5．2 阶跃恢复二极管1．5．3 异型异质结1．5．4 变容二极管第2章 p-i-n二极管第3章 肖特基势垒二极管3．5．1 莫特势垒3．5．2 金属．绝缘体．半导体隧道二极管第4章 平面掺杂势垒二极管4．5．1 双峰式二极管4．5．2 平面掺杂势垒场效应晶体管第5章 同型异质结5．5．1 缓变结构势垒二极管Ⅱ：负阻N形第6章 隧道二极管6．5．1 反向二极管第7章 转移电子器件第8章 共振隧穿二极管8．5．1 共振隧穿场效应晶体管第9章 共振带间隧穿二极管第10章 单势垒隧道二极管第11章 单势垒带间隧穿二极管第12章 实空间转移二极管二极管Ⅲ：负阻效应S形第13章 金属一绝缘体一半导体开关13．5．1 金属．绝缘体．半导体．金属开关13．5．2 金属．绝缘体．半导体．绝缘体．金属开关第14章 平面掺杂势垒开关14．5．1 多晶硅n-p开关14．5．2 双异质结构光电子开关第15章 无定形半导体阈值开关15．5．1 无定形半导体存储开关第16章 异质结构热电子二极管二极管Ⅳ：负阻渡越时间第17章 碰撞电离雪崩渡越时阿二极管17．5．1 俘获等离子体雪崩触发渡越二极管17．5．2 双速雪崩渡越时间二极管17．5．3 混合隧道雪崩渡越时间二极管第18章 势垒注入渡越时间二极管18．5．1 双速渡越时间二极管18．5．2 隧道注入渡越时间二极管18．5．3 量子阱注入渡越时间二极管电阻和电容器件第19章 电阻器19．5．1 变阻器19．5．2 电势计19．5．3 n-i-n二极管第20章 金属一氧化物一半导体电容器20．5．1 金属．绝缘体．半导体电容器20．5．2 平板电容器第21章 电荷耦合器件21．5．1 埋沟电荷耦合器件21．5．2 蠕动电荷耦合器件21．5．3 成型蠕动式电荷耦合器件21．5．4 戽链器件晶体管Ⅰ：场效应第22章 金属．氧化物一半导体场效应晶体管22．5．1 双扩散金属．氧化物．半导体晶体管22，5．2 横向扩散金属．氧化物．半导体晶体管22．5．3 六角形场效应晶体管22．5．4 v形槽(或纵向)金属、氧化物．半导体晶体管22．5．5 u形槽金属、氧化物、半导体晶体管22．5．6 薄膜晶体管22．5．7 金属、绝缘体、半导体场效应晶体管22．5．8 压敏场效应晶体管第23章 结型场效应晶体管23．5．1 V形槽场效应晶体管第24章 金属、半导体场效应晶体管第25章 调制掺杂场效应晶体管25．5．1 倒置异质结场效应晶体管25．5．2 平面掺杂异质结场效应晶体管25．5．3 单量子阱异质结场效应晶体管25．5．4 超晶格异质结场效应晶体管25．5．5 赝异质结场效应晶体管25．5．6 异质结绝缘栅场效应晶体管25．5．7 半导体．绝缘体．半导体场效应晶体管25．5．8 掺杂沟道异质结场效应晶体管第26章 可渗基区晶体管第27章 静电感应晶体管第28章 实空间转移晶体管第29章 平面掺杂场效应晶体管第30章 表面隧道晶体管30．5．1 肖特基隧道晶体管第31章 横向共振隧穿场效应晶体管第32章 斯塔克效应晶体管第33章 速度调制晶体管晶体管Ⅱ：电势效应非易失性存储器晶闸管和功率器件光电子器件Ⅰ：光源光电子器件Ⅱ：光电探测器光电子器件Ⅲ：双稳态光学器件光电子器件Ⅳ：其他器件传感器索引译后记 |
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