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微电子概论/普通高等教育十五国家级规划教材

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最低价：￥15.90

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作者：郝跃贾新章吴玉广著

出版社：高等教育出版社

出版时间：2003-12

I S B N：7040130440

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内容简介

本书是普通高等教育“十五”国家级规划教材。
本书共八章，内容包括：概论、集成器件物理基础（以物理概念为重点，介绍物理原理，同时给出定量结论）、集成电路制造工艺（介绍双极和CMOS工艺，以CMOS为主）、集成电路设计（一方面介绍底层设计中各种元器件图形结构设计，同时介绍ASIC基本设计方法）、微电子系统设计、集成电路计算机辅助设计（介绍微机级和工作站CAD软件系统）、集成电路设计举例和设计实践、微电子家族中的其他重要成员。
本书可用作高等院校非微电子专业本科生的教材及参考书。

作者简介

第1章概论
1．1 微电子技术和集成电路的发展历程
1．1．1 电子技术与半导体集成电路
1．1．2 发展历程
1．1．3 发展特点和技术经济规律
1．2 集成电路的分类
1．2．1 按电路功能分类
1．2．2 按电路结构分类
1．2．3 按有源器件结构和工艺分类
1．2．4 按电路的规模分类
1．3 集成电路制造特点和《微电子概论》学习要点
1．3．1 电路系统设计
1．3．2 版图设计和优化
1．3．3 集成电路的加工制造
1．3．4 集成电路的封装
1．3．5 集成电路的测试和分析
第2章集成器件物理基础
2．1 半导体及其能带模型
2．1．1 半导体及其共价键结构
2．1．2 半导体的能带模型
2．1．3 费米分布函数
2．2 半导体的导电性
2．2．1 本征半导体
2．2．2 非本征载流子
2．2．3 半导体中的漂移电流
2．2．4 半导体中的扩散电流
2．2．5 半导体中的电流
2．2．6 半导体基本方程
2．3 PN结和晶体二极管
2．3．1 平衡状态下的PN结
2．3．2 PN结的单向导电性
2．3．3 理想PN结模型及其伏－安特性
2．3．4 PN结电容
2．3．5 PN结击穿
2．3．6 二极管等效电路模型和二极管应用
2．3．7 PN结应用
2．3．8 其他半导体二极管
2．4 双极型晶体管
2．4．1 双极晶体管的直流放大原理
2．4．2 影响晶体管直流特性的其他因素
2．4．3 晶体管的击穿电压
2．4．4 晶体管的频率特性
2．4．5 晶体管模型和模型参数
2．4．6 异质结双极晶体管（HBT）
2．5 JFIZT与MESFET器件基础
2．5．1 器件结构与电流控制原理
2．5．2 JFET直流轮出特性的定性分析
2．5．3 JFET的直流转移特性
2．5．4 JFET的器件类型和电路符号
2．5．5 JFET直流特性定量表达式
2．5．6 JFET等效电路和模型参数
2．6 MOS场效应晶体管
2．6．1 MOS晶体管结构
2．6．2 MOS晶体管工作原理
2．6．3 MOS晶体管直流伏安特性定量结果
2．6．4 MOS晶体管的阈值电压
2．6．5 MOS晶体管特点
2．6．6 MOS晶体管模型和模型参数
2．6