本标准等同采用SEMI MF 1630-0704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法》。
本标准与SEMI MF l630—0704相比，主要有如下变化：
——用实际测量到的红外谱图代替SEMI MF 1630—0704标准中的图2、图3。
用实验得到的单一实验室测试精密度代替SEMI MF 1630—0704中给出的单一实验室测试精密度。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司。
本标准主要起草人：梁洪、过惠芬、吴道荣。 |
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