本标准修改采用SEMI MF 1724—1104《采用酸萃取一原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污》。本标准对SEMI MF 1724—1104格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录C中列出了本标准章条和SEMI MF 1724—1104章条对照一览表。并对SEMI MF 1724—1104条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMI MF 1724—1104相比，主要技术差异如下：
——去掉了“目的”、“关键词”。
——将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录B。
本标准的附录A、附录B和附录C为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人：褚连青、王奕、魏利洁。 |
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