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纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究

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纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究

最 低 价:¥17.50

定 价:¥25.00

作 者:赵晓锋

出 版 社:黑龙江大学出版社

出版时间:2009-08

I S B N:781129126

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姓名:赵晓锋著
作者简介:
作品:《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》

内容简介

本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上,给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压/磁多功能传感器。

作者简介

目录

第1章 绪论
1.1 引言
1.2 多功能传感器研究现状
1.3 mosfet压力传感器研究现状
1.4 mosfet磁传感器研究现状
1.5 纳米硅/单晶硅异质结研究现状
1.6 纳米硅/单晶硅异质结mosfets压/磁多功能传感器研究目的和意义
1.7 纳米硅/单晶硅异质结mosfets压/磁多功能传感器研究的主要内容
第2章 纳米硅薄膜制备及表征研究
2.1 纳米硅薄膜
2.2 pecvd制备多晶硅薄膜
2.3 lpcvd制备纳米硅薄膜
2.4 小结
第3章 mosfets压/磁多功能传感器理论分析
3.1 mosfets压/磁多功能传感器理论模型
3.2 mosfets压/磁多功能传感器理论分析
3.3 小结
第4章 纳米硅/单晶硅异质结mosfets压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式
4.1 半导体材料压阻效应基本理论

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