| 这是一部难得的好教科书。将集成电路制程技术、原理-5集成电路底层TCAD可制造性设计技术密切结合，介绍详尽，极具创新。对于当今高等学校微电子专业在校生来讲，学后会有“一书读罢解惑天下”之感。书中所介绍的新一代TCAD技术及DFM解决方案是Synopsys奉献给芯片制造业的当前最新的IC底层设计及芯片良品率优化技术成果。感谢李惠军教授为中国芯片产业作出的贡献。 —Synopsys中国区副总经理 秦明 |
| 李惠军，1975年毕业于南京邮电学院半导体器件专业。山东大学信息科学与工程学院教授、山东大学孟堯微电子研发中心主任。从事超大规模集成电路制造工艺技术的教学及超深亚微米集成化器件工艺与器件物理特性级TCAD可制造性设计的研究。曾获山东省科学技术进步二等奖、山东省省教委科技进步一等奖、山东省省级教学成果一等奖、山东省省级教学成果二等奖各一项。出版著作5部。 |
| 绪论 本章小结 习题 第1章 硅材料及衬底制备 1.1 半导体材料的特征与属性 1.2 半导体材料硅的结构特征 1.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷 1.4 集成电路技术的发展和硅材料的关系 1.5 关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备 1.6 半导体硅材料的提纯技术 1.6.1 精馏提纯四氯化硅技术及其提纯装置 1.6.2 精馏提纯四氯化硅的基本原理 1.7 直拉法生长硅单晶 1.7.1 晶体生成技术的发展现状 1.7.2 晶体生长技术的分类 1.7.3 硅直拉单晶生长技术 1.7.4 硅直拉单晶设备 1.7.5 硅直拉单晶工艺步骤 1.8 硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用 本章小结 习题 本章参考文献 第2章 外延生长工艺原理 2.1 关于外延生长技术 2.2 外延生长工艺方法概论 2.2.1 典型的水平反应器硅气相外延生长系统简介 2.2.2 硅化学气相淀积外延生长反应过程的一般描述 2.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理 2.4 常规硅气相外延生长过程的结晶学原理 2.5 关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件 2.5.1 外延生长过程中的掺杂 2.5.2 外延生长速率与反应温度的关系 2.5.3 外延生长层内的杂质分布 2.5.4 外延生长缺陷 2.5.5 外延生长之前的氯化氢气相抛光 2.5.6 典型的外延生长工艺流程 2.5.7 工业化外延工序的质量控制 2.6 发生在硅气相外延生长过程中的二级效应 2.6.1 外延生长过程中基片衬底杂质的再分布效应 2.6.2 外延生长过程中掺入杂质的再分布 本章小结 习题 本章参考文献 第3章 氧化介质薄膜生长 3.1 氧化硅介质膜的基本结构 3.2 二氧化硅介质膜的主要性质. 3.3 氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理 3.4 氧化硅介质膜的热生长动力学原理 3.5 典型热生长氧化介质膜的常规生长模式 本章小结 习题 本章参考文献 第4章 半导体的高温掺杂 4.1 固体中的热扩散现象及扩散方程 4.2 常规高温热扩散的数学描述 4.2.1 恒定表面源扩散问题的数学分析 4.2.2 有限表面源扩散问题的数学分析 4.3 常规热扩散工艺简介 4.4 实际扩散行为与理论分布的差异 4.4.1 发生在氧化硅一硅界面处的杂质再分布行为 4.4.2 发生在氧化过程中的氧化增强扩散行为 4.5 扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应 4.5.1 杂质热扩散及热迁移工艺模型 4.5.2 氧化增强扩散模型 4.5.3 对杂质在可动界面处变化的一维描述 4.5.4 对杂质在可动界面处变化的二维描述 4.5.5 对常规扩散行为进行的二维描述 4.6 深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型 本章小结 习题 本章参考文献 第5章 离子注入低温掺杂 5.1 离子注入掺杂技术的特点 …… 第6章 薄膜气相淀积工艺 第7章 图形光刻工艺原理 第8章 掩模制备工艺原理 第9章 集成电路工艺仿真 第10章 集成结构测试图形 第11章 电路管芯键合封装 第12章 集成电路性能测试 第13章 工艺过程理化分析 第14章 管芯失效及可靠性 第15章 超大规模集成工艺 第16章 芯片产业质量管理 第17章 可制造性设计工具 第18章 可制造性设计理念 附录A 集成电路制作技术专业术语大全 附录B 现代集成电路制造技术缩略语 |
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