| 姓名：万积庆//唐元洪著 作者简介： 作品：《功率晶体管原理》 |
| 第1章 材料参数物理 近年来，采用微电子精细结构加工技术开发功率半导体器件已经取得成功，且生产出一系列性能优良的功率微电子器件。这种器件在家用电器、通信、电力系统以及交通运输中得到广泛应用。同时研究发现，其大电流控制能力、高电压阻断能力、高频响应、开关速度和开关功耗还没有达到对理想功率器件的要求。究其原因，主要是受到硅材料特性的限制，因此，要开发出理想的功率器件，除了改进器件结构和加工技术之外，寻找新的制作器件的材料是很重要的。 半导体材料所表现出的特性来源于其内部电子可以做多种多样的运动，因此，要了解材料特性、开发出优良的功率器件，就必须了解半导体中的电子运动规律。为此，本章介绍半导体晶体结构、电子的量子态、能带理论，重点讨论载流子的统计分布、载流子的迁移率、电阻率及其寿命，以期为讨论功率器件的特性、优化功率器件参数提供有用的公式和数据。 支配器件工作特性的是材料基本特性，但用来控制材料特性的加工技术和加工功率器件的工艺技术，对于功率器件理想特性的获得也是十分重要的，因此，本章另一个重点是讨论制造功率器件的特殊加工技术，如中子嬗变掺杂控制材料的电阻率以及电子辐射控制少数载流子寿命等。 最后一节介绍碳化硅材料。碳化硅材料具有许多优良特性，它是制作高温、高频和大功率器件的理想材料。 …… 更多 |
| 第1章 材料参数物理 1.1 半导体的晶体结构 1.2 能带理论 1.3 热平衡载流子 1.4 硅中载流子迁移率 1.5 硅的电阻率 1.6 寿命 1.7 电流方程和连续方程 1.8 sic材料特性及器件工艺特点 习题 参考文献 第2章 pn结的击穿与终端造型技术 2.1 pn结空间电荷区的电场和电位分布 2.2 雪崩击穿 2.3 柱面结与球面结 2.4 台面终端 2.5 刻蚀造型与钝化 2.6 离子注入展宽pn结终端 2.7 浮置限场环 2.8 场板 2.9 限场环与场板复合结构 习题 参考文献 第3章 &nb 更多 |
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