| 本书是由意大利Torino大学材料系Carlo Lamberti教授主编的，以意大利的大学教授为主体，包括欧洲其他国家：英国、法国、西班牙、瑞士及比利时学者共同编写的。全书共13章，内容是介绍表征异质结构，包括半导体异质结、超晶格，以及低维结构如Ⅲ-Ⅴ族化合物纳米线、量子点等——的结构性质与电子性质的分析手段和方法。这些性质主要是指在衬底上生长的异质表面层或异质材料问的界面、界面层(interlayer)特性。 |
| 前言 第1章 导论：纳米技术的多学科性质与探索前沿表征技术的必要性 第2章 结构性质与电子性质的第一原理(从头算起)模拟研究 第3章 纳米结构的电学性质表征 第4章 采用高分辨率x射线衍射技术(XRD)的半导体异质结构的应变与组分确定 第5章 透射电子显微镜(TEM)技术用于成像与半导体异质结构的组分确定 第6章 通过光致发光技术(PL)以了解半导体纳米结构的结构性质与电子性质 第7章 Ⅲ族元素氮化物(Ⅲ-nitride)的异质结构中的与功率大小有关的阴极发光：从内部场屏蔽到可控能带带隙调制 第8章 拉曼谱技术 第9章 用于半导体异质结构与纳米结构研究的X射线吸收精细结构(XAPS)方法 第10章 受同步辐射光照的纳米结构：对表面敏感的X射线技术及异常散射 第11章 用于研究纳米结构的结构性质的掠入射衍射异常精细结构(GIDAPS)方法 第12章 光发射谱在异质结研究中的作用 第13章 半导体异质结构界面与界面层的电子自旋谐振(ESR)谱分析方法 名称索引 |
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