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高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

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作者：本社编著

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出版时间：2010-1-1

I S B N：GB/T24576-2009

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内容简介

本标准技术内容等同采用SMEI M63—0306《准则：采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上A1GaAs中A1百分含量的测试方法》。本标准对SMEI M63—0306进行了编辑性修改。
本标准的附录A为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人：章安辉、黄庆涛、何秀坤。