| 本书共分4篇14章。第一篇首先对晶体生长所涉及的热力学与动力学原理及其已经广被接受的晶体生长的基本理论，包括晶体生长的形核和生长的界面过程、晶体生长过程的形态演变等作了简要介绍。第二篇对晶体生长技术涉及的共性基础进行了分析，其中包括传质、传热和流体流动的基本原理；晶体生长的化学原理及其在原材料的提纯与合成中的应用；应用于晶体生长的各种物理原理。第三篇主要探讨晶体生长技术，分类对各种晶体生长方法的发展及其控制原理和技术进行了分析，分4章分别讨论了Bridgman法及其相关方法、Czochralski法及其相关方法、溶液生长方法和气相生长方法。第四篇分2章分别讨论了各种晶体缺陷及其形成原理，晶体成分、结构和主要物理性能的表征方法及其测试技术。 |
| 前言 第一篇 晶体生长的基本原理 第1章 导论 1.1 晶体的基本概念 1.1.1 晶体的结构特征 1.1.2 晶体结构与点阵 1.1.3 晶向与晶面 1.1.4 晶体的结构缺陷概述 1.2 晶体材料 1.2.1 常见晶体材料的晶体结构 1.2.2 按照功能分类的晶体材料 1.3 晶体生长技术的发展 1.4 晶体生长技术基础及其与其他学科的联系 参考文献 第2章 晶体生长的热力学原理 2.1 晶体生长过程的物相及其热力学描述 2.1.1 气体的结构及热力学描述 2.1.2 液体的结构及热力学描述 2.1.3 固体的结构及其热力学参数 2.1.4 相界面及其热力学分析 2.1.5 晶体生长的热力学条件 2.2 单质晶体生长热力学原理 2.2.1 单质晶体生长过程中的热力学平衡 2.2.2 液相及气相生长的热力学条件及驱动力 2.2.3 固态再结晶的热力学条件 2.3 二元系的晶体生长热力学原理 2.3.1 二元合金中的化学位 2.3.2 液-固界面的平衡与溶质分凝 2.3.3 气-液及气-固平衡 2.4 多组元系晶体生长热力学分析 2.4.1 多元体系的自由能 2.4.2 多元系结晶过程的热力学平衡条件 2.4.3 相图计算技术的应用 2.5 化合物晶体生长热力学原理 2.5.1 化合物分解与合成过程的热力学分析 2.5.2 复杂二元及多元化合物体系的简化处理 2.5.3 化合物晶体非化学计量比的成分偏离与晶体结构缺陷 2.5.4 熔体中的短程序及缔合物 参考文献 第3章 晶体生长的动力学原理 第4章 实际晶体生长形态的形成原理 第5章 晶体生长过程的形核原理 第二篇 晶体生长的技术基础 第6章 晶体生长过程的传输问题 第7章 晶体生长过程中的化学问题 第8章 晶体生长过程物理场的作用 第三篇 晶体生长技术 第9章 熔体法晶体生长（1）——Bridgman法及其相似方法 第10章 熔体法晶体生长（2）——Cz法及其他熔体生长方法 第11章 溶液法晶体生长 第12章 气相晶体生长方法 第四篇 晶体缺陷分析与性能表征 第13章 晶体缺陷的形成与控制 第14章 晶体的结构与性能表征 参考文献 |
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