| 第二版前言第一版前言符号表第1章 半导体物理基础1.1 半导体材料1.1.1 半导体材料的原子构成1.1.2 半导体材料的晶体结构1.2 半导体中的电子1.2.1 量子力学简介1.2.2 半导体中电子的特性与能带1.2.3 载流子 1.3 热平衡状态下载流子的浓度1.3.1 电子的统计分布规律1.3.2 载流子浓度与费米能级的关系1.3.3 本征半导体与杂质半导体1.4 载流子的输运1.4.1 载流子的散射1.4.2 载流子的漂移运动与迁移率1.4.3 漂移电流与电导率1.4.4 扩散运动与扩散系数1.4.5 电流密度方程与爱因斯坦关系式1.5 非平衡载流子1.5.1 非平衡载流子的复合与寿命1.5.2 准费米能级1.6 连续性方程与扩散方程1.6.1 连续性方程1.6.2 扩散方程思考题1习题1第2章 PN结2.1 平衡PN结能带图及空间电荷区2.1.1 平衡PN结能带图2.1.2 PN结的形成过程 2.1.3 平衡PN结的载流子浓度分布2.2 理想PN结的伏安特性2.2.1 PN结的正向特性 2.2.2 PN结的反向特性 2.2.3 理想PN结的伏安特性2.3 实际PN结的特性2.3.1 PN结空间电荷区中的复合电流 2.3.2 PN结空间电荷区中的产生电流 2.3.3 PN结表面漏电流与表面复合、产生电流2.3.4 PN结的温度特性 2.4 PN结的击穿2.4.1 PN结空间电荷区中的电场2.4.2 PN结的雪崩击穿和隧道击穿2.5 PN结的电容2.5.1 PN结的势垒电容 2.5.2 PN结的扩散电容 思考题2习题2第3章 双极晶体管3.1 双极晶体管的结构3.1.1 基本结构3.1.2 晶体管的杂质分布3.1.3 晶体管的实际结构3.1.4 晶体管的结构特点3.1.5 集成电路中的晶体管3.2 双极晶体管的放大原理3.2.1 晶体管直流短路电流放大系数3.2.2 晶体管内载流子的传输3.2.3 发射效率和基区输运系数3.2.4 共基极直流电流放大系数3.2.5 共射极直流电流放大系数岛 3.3 双极晶体管电流增益3.3.1 均匀基区晶体管直流电流增益3.3.2 缓变基区晶体管直流电流增益3.3.3 影响电流放大系数的因素3.3.4 大电流下晶体管放大系数的下降3.4双极晶体管常用直流参数3.4.1反向截止电流3.4.2击穿电压3.4.3集电极最大电流3.4.4基极电阻3.5 双极晶体管盲流伏安特性3.5.1 均匀基区晶体管直流伏安特性3.5.2 双极晶体管的特性曲线 3.5.3 Ebers-Moll模型3.6 交流小信号电流增益及频率特性参数3.6.1 交流小信号电流传输3.6.2 BJT交流小信号模型3.6.3 交流小信号传输延迟时间3.6.4 交流小信号电流增益3.6.5 频率特性参数3.7 双极晶体管的开关特性3.7.1 晶体管的开关作用3.7.2 正向压降和饱和压降3.7.3 晶体管的开关过程3.7.4 双极晶体管的开关时间思考题3习题3第4章 结型场效应晶体管4.1 JFET结构与工作原理4.1.1 PNJFET基本结构4.1.2 JFET工作原理4.1.3 JFET特性曲线4.1.4 夹断电压及饱和漏源电压4.2 MESFET4.2.1 金属与半导体接触4.2.2 MESFET基本结构 4.2.3 MESFET工作原理4.3 JFET直流特性4.4 直流特性的非理想效应4.4.1 沟道长度调制效应4.4.2 速度饱和效应4.4.3 亚阈值电流4.5 JFET的交流小信号特性4.5.1 JFET的低频交流小信号参数4.5.2 JFET本征电容4.5.3 交流小信号等效电路4.5.4 JFET的频率参数思考题4习题4第5章 MOSFET 5.1 MOS结构及其特性5.2 MOSFET的结构及工作原理5.2.1 MOSFET基本结构 5.2.2 MOSFET基本类型 5.2.3 MOSFET基本工作原理5.2.4 MOSFET转移特性 5.2.5 MOSFET输出特性5.3 MOSFET的阈值电压5.3.1 阈值电压的含义 5.3.2 平带电压5.3.3 实际MOS结构的电荷分布 5.3.4 阈值电压表示式 5.3.5 VBS≠O时的阈值电压5.3.6 影响阈值电压的因素5.4 MOSFET直流特性5.4.1 萨支唐方程5.4.2 影响直流特性的因素5.4.3 击穿特性5.4.4 亚阈特性5.5 MOSFET小信号特性5.5.1交流小信号参数5.5.2本征电容5.5.3交流小信号等效电路5.5.4 截止频率5.6 MOSFET开关特性5.6.1 开关原理5.6.2 开关时间5.7 短沟道效应及按比例缩小规则5.7.1 短沟道效应的含义5.7.2 短沟道对阈值电压的影响5.7.3 窄沟道对阈值电压的影响5.7.4 按比例缩小规则 思考题5习题5第6章 集成电路概论6.1 什么是集成电路6.2 集成电路的发展历史6.3 集成电路相关产业及发展概况6.4 集成电路分类6.5 集成电路工艺概述6.5.1 外延生长6.5.2 氧化6.5.3 掺杂6.5.4 光刻6.5.5 刻蚀6.5.6 淀积6.5.7 钝化6.6 CMOS工艺中的无源器件及版图6.6.1 电阻6.6.2 电容6.6.3 电感6.7 CMOS工艺中的有源器件及版图6.7.1 NMOS6.7.2 PMOS6.7.3 NPN 6.7.4 PNI6.8 CMOS反相器6.8.1 CMOS反相器的直流特性6.8.2 CMOS反相器的瞬态特性6.8.3 CMOS反相器的功耗与设计6.8.4 CMOS反相器的制作工艺及版图 6.9 CMOS传输门6.9.1 NMOS传输门的特性6.9.2 PMOS传输门的特性6.9.3 CMOS传输门的特性6.10 CMOS放大器6.10.1 共源放大器6.10.2 源极跟随器6.10.3 共栅放大器思考题6习题6第7章 集成电路设计基础7.1 模拟集成电路设计概述7.2 模拟集成电路的设计流程及EDA 7.2.1 模拟集成电路设计一般流程7.2.2 模拟集成电路设计相关EDA7.2.3 模拟集成电路设计实例7.3 数字集成电路设计流程及EDA 7.3.1 数字集成电路设计一般流程7.3.2 数字集成电路设计相关EDA7.3.3 Vetiog HDL及数字电路设计7.4 集成电路版图设计7.4.1 集成电路版图设计基本理论7.4.2 版图设计的方式 7.4.3 半定制数字集成电路版图设计7.4.4 全定制模拟集成电路版图设计思考题7习题7参考文献附录附录A 硅电阻率与杂质浓度关系 附录B 硅中载流子迁移率与杂质浓度关系附录C si和GaAs在300K的性质附录D 常用元素、二元及三元半导体性质附录E 常用物理常数附录F 国际单位制(SI单位)附录G 单位词头 |
内容加载中，请稍后...
商品评论（0条）