| 姓名：蒋建飞著 作者简介： 作品：《单电子学》《纳米芯片学(精装)》 |
| 第1蕈 微米芯片 1.1 引言 如果把发明第一个单片集成电路的时间——1959年定为第一个半导体芯片(或称微米芯片)的诞生期，则已是近半个世纪之前的事[1]。随后经历了从小规模到中规模到大规模到超大规模直至极大规模的发展历程。小规模集成电路(small scale integration circuit，ssi)盛行于20世纪60年代前期，每个芯片集成的元、器件数在2450个之间。中规模集成电路(medium scale integration circuit，msi)盛行于20世纪60年代到70年代的前期，每个芯片集成的元、器件数在50～5 000个之间。大规模集成电路(large scale integration circuit，lsi)盛行于20世纪70年代前期到70年代后期，每个芯片集成的元、器件数在5 000～100 000个之间。超大规模集成电路(very large scale integration circuit，vlsi)盛行于20世纪70年代后期到90年代初期，每个芯片集成的元、器件数在100 000～1 000 000个之间。极大规模集成电路(ultra large scale integration circuit，ulsi)盛行于20世纪90年代后期到20世纪末，每个芯片集成的元、器件数大于l 000 000。从2000年开始进入纳米芯片时代。 根据现在普遍的观点，把结构或器件的特征长度降至0．1～100 nm时在广义上就称其为纳米结构和纳米器件似乎已成为基本的共识。作者为了更具体地表述这一概念，曾建议把0．141．0 nm特征长度的器件称为亚纳米器件，把l．0～10nm特征长度的器件称为纳米器件，把10～i00 nm特征长度的器件称为准纳米器件[2]。这种建议也可以看作为狭义纳米尺度的表述。同样，可以认为l00 nm(0．1 um)4100 000 nm(100 um)特征长度的器件广义上称为微米器件。进而分成0．1～1．0 um特征长度的器件称为亚微米器件，1．0410 um特征长度的器件称为微米器件，l0～100 um特征长度的器件称为准微米器件。由以上各特征长度器件相应构成的芯片分别称为准微米芯片、微米芯片、亚微米芯片、准纳米芯片、纳米芯片和亚纳米芯片。 图 l.1.1 示出了各种芯片开始或预期 更多 |
| 第1章 微米芯片 1.1 引言 1.2 电子管的发明 1.3 晶体管的发明 1.4 微米芯片 1.4.1 微米芯片的诞生 1.4.2 电子器件百年史 1.4.3 微米芯片实例 1.5 moore定律 1.6 材料的选择 1.7 器件结构的创新 1.7.1 微米芯片的关键技术 1.7.2 双极型晶体管 1.7.3 异质结双极型晶体管 1.7.4 mos场效应晶体管 1.7.5 异质结场效应晶体管 1.7.6 双极-cmos器件 1.8 制造技术的创新 1.8.1 薄膜制备技术 1.8.2 图形发生技术 1.8.3 双极-cmos技术工程 第2章 mos纳米芯片 2.1 引言 2.2 特征长度 2.3 mos纳米芯片的发展 2.4 mos纳米芯片的基本技术工程 2.4.1 双阱工程 2.4.2 浅槽隔离工程 2.4.3 多晶硅栅工程 2.4.4 轻掺杂源／漏区注入工程 2.4.5 侧墙形成工程 2.4.6 高掺杂源／漏区注人工程 2.4.7 接触孔金属形成工程 2.4.8 互连工程 2.5 180 nm技术节点纳米芯片 2.6 130 nm技术节点纳米芯片 2.6.1 双阈值电压cmos芯片 2.6.2 高密度etoxtm快闪存储器 2.7 90 nm技术节点纳米芯片 2.7.1 应变硅cmos晶体管 2.7.2 90 nm技术节点纳米芯片的互连 2.7.3 90 nm技术节点纳米芯片实例 2.8 65 nm技术节点纳米芯片 2.8.1 增强型应变硅cmos晶体管 2.8.2 193 nm波长和交互相移掩膜相结合的光刻技术 2.8.3 65 nm技术节 更多 |
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