| 本书共15章，介绍了硅单晶制备；外延、氧化、溅射（蒸发）、化学气相淀积等薄膜制备技术；扩散、离子注入等掺杂技术；制版、光刻、刻蚀、CAD等图形加工技术；金属化和平坦化、组装工程、产品可靠性，以及洁净技术、去离子水制备等外围加工技术。在最后一章中还介绍了超大规模集成电路的工艺总汇。本书适合作为高职高专院校电子信息技术相关专业学生的教材，也适合作为从事微电子专业的中高级技术工人的培训教材。 |
| 出版说明 前言 第1章 绪论 1.1 微电子器件工艺的发展历史 1.2 集成电路的发展历史 1.3 集成电路制造工艺实例 第2章 硅的晶体结构和硅单晶体制备 2.1 硅的晶体结构 2.2 硅晶体中的缺陷和杂质 2.3 硅单晶体制备 2.4 硅单晶的加工及质量要求 2.5 习题 第3章 氧化及热处理 3.1 二氧化硅的结构、性质和用途 3.2 硅的热氧化 3.3 二氧化硅生长的其他方法 3.4 二氧化硅膜质量控制 3.5 热处理 3.6 习题 第4章 掺杂 4.1 扩散原理及模型 4.2 扩散方法 4.3 扩散层参数测量和质量分析 4.4 离子注入 4.5 习题 第5章 光刻 5.1 光刻的工艺要求 5.2 光刻胶的组成材料及感光原理 5.3 光刻工艺 5.4 光刻质量分析 5.5 习题 第6章 刻蚀 …… 第7章 化学气相淀积 第8章 物理气相淀积 第9章 制版 第10章 金属化与平坦化 第11章 洁净技术 第12章 去离子水制备及废水处理 第13章 组装工艺 第14章 器件的可靠性 第15章 ULSI工艺总汇 附录 参考文献 |
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