| 本书是博学微电子学系列之一，以介绍集成电路工艺和器件的模拟器为主线，概论IC TCAD技术早期的可实用的成果、随后的多方面发展、当今的研究进展和商用化现状，以及近期和远期的困难挑战和能力需求。 本书适用于大学微电子或其他相关专业的硕士／博士研究生或高年级本科生作教材或教学参考书。本书作为一本IC TCAD技术的入门书，也适用于有需要或有兴趣在IT领域工作的研发、生产和管理人员。 |
| 阮刚，复旦大学教授，微电子及固态电子学专业博士生导师。1956～1958年在北京大学加入五校半导体联合教研室，参与创办我国第一个半导体专业，1960年初在复旦大学领导一个青年科研组，研制成功了我国第一批锗集成电路。长期从事半导体器件工艺、物理、模型和模拟的教学和研究工作，已合作编译出版专业书5本，单独和合作发表论文200余篇。曾是美国Illinois大学高级访问学者，新加坡Nanyang理工大学访问教授，德国chemnitz技术大学顾问教授及德国Fraunhofer微集成研究所高级科技顾问。 |
| 前言 第一章 引言 §1.1 模拟和集成电路模拟简释 1.1.1 模拟 1.1.2 集成电路模拟 §1.2 lC工艺和器件模拟简介 1.2.1 IC工艺模拟 1.2.2 IC器件模拟 §1.3 本书的内容安排及特点 第二章 集成电路的工艺模拟 §2.1 SUPREM概述 §2.2 SUPREM-2概述 §2.3 SUPREM-2的工艺模型 2.3.1 离子注入模型 2.3.1.1 简单的对称高斯分布 2.3.1.2 两个相联的半高斯分布 2.3.1.3 修改过的：PearsonⅣ分布 2.3.1.4 硅表面有二氧化硅层时对射程的修正 2.3.1.5 热退火对注入杂质分布的影响 2.3.2 热加工时杂质迁移模型 2.3.2.1 扩散方程 2.3.2.2 非本征情况下的扩散系数 2.3.2.3 硅中存在其他高浓度杂质时对杂质扩散分布的影响 2.3.2.4 磷的扩散迁移模型 2.3.2.5 氧化增强扩散 2.3.2.6 界面流量 2.3.2.7 产生和损失机构——砷的扩散迁移模型 2.3.3 热氧化模型 2.3.3.1 Deal-Grove热氧化生长公式 2.3.3.2 高硅表面掺杂浓度对硅氧化速率的影响 2.3.3.3 增量形式的热氧化生长公式 2.3.4 硅外延模型 §2.4 SUPREM-2中几个电参数的计算 2.4.1 薄层电阻计算 2.4.2 MOS阈值电压计算 §2.5 SUPREM-2的使用和应用例举 2.5.1 SUPREM-2的使用 2.5.2 SUPREM-2的应用例举 2.5.2.1 SUPREM-2应用例举一 CMOS P阱模拟 2.5.2.2 SUPREM-2应用例举二 斯坦福配套元件芯片工艺 §2.6 SUPREM-3 2.6.1 SUPREM-3的离子注入模型 2.6.2 SUPREM-3的热氧化模型 2.6.3 SUPREM-3的杂质扩散模型 2.6.3.1 SUPREM-3执行的非氧化情况下的杂质扩散模型 2.6.3.2 SUPREM-3执行的氧化表面情况下的杂质扩散模型 2.6.3.3 SUPREM-3执行的为其他材料的杂质扩散和分凝模型 2.6.4 SUPREM-3的硅外延模型 2.6.5 多晶硅模型 2.6.6 SUPREM-3中的电性能计算 2.6.7 SUPREM-3的使用和应用例举 2.6.7.1 SUPREM-3的使用 2.6.7.2 SUPREM-3的应用例举一 硅栅NMOS工艺 2.6.7.3 SUPREM-3的应用例举二 掺杂多晶硅发射极双极型晶体管 §2.7 SUPREM-4 2.7.1 SUPREM-4的离子注入模型 2.7.1.1 解析离子注入模型 2.7.1.2 Monte Carlo离子注入模型 2.7.2 SUPREM-4的杂质扩散模型 2.7.3 SUPREM-4的氧化模型 2.7.3.1 一维氧化模型 2.7.3.2 二维氧化模型 2.7.4 SUPREM-4的其他工艺模型和电参数计算模型 2.7.5 SUPREM-4的使用和应用例举 2.7.5.1 SUPREM-4的使用 2.7.5.2 SUPREM-4的应用例举一 硅的局部氧化工艺的二维模拟 2.7.5.3 SUPREM-4的应用例举二 CMOS中NMOs管的制造工艺模拟 第二章参考资料 第三章 半导体器件的一维模拟 §3. 1 SEDAN-1的一般描述 §3. 2 SEDAN-1执行的半导体基本方程 §3. 3 SEDAN-1中几个参数的物理模型 3.3.1 杂质浓度及电场对迁移率的影响 3.3.2 高掺杂浓度引起禁带变窄 3.3.3 两种复合机构对复合率的贡献 §3.4 SEDAN-1的使用和应用例举 3.4.1 SEDAN-1的使用 3.4.2 SEDAN-1的应用例举 3.4.2.1 SEDAN-1的输入文件例举 3.4.2.2 SEDAN-1的输出信息例举 §3.5 SEDAN-3 3.5.1 SEDAN-3概述 3.5.2 SEDAN-3执行的基本方程 3.5.3 SEDAN-3中几个参数的物理模型 3.5.3.1 硅中几个参数的物理模型 3.5.3.2 GaAs和AlGaAs中几个参数的物理模型 3.5.4 SEDAN-3的使用和应用例举…… |
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