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集成电路版图基础--实用指南

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集成电路版图基础--实用指南

最 低 价:¥21.60

定 价:¥24.00

作 者:(美)Christopher Saint, Judy Saint

出 版 社:清华大学出版社

出版时间:2006 年10月

I S B N:7302133719

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内容简介

集成电路版图设计是一个非常新的领域,虽然掩模设计已经有30多年的历史,但直到最近才成为一种职业。想从事这个职业的人,包括大学毕业生和希望转行的人们,需要了解一些非常复杂的原理。同样,一些富有经验的版图工程师也发现当代ic工艺的复杂性要求他们进一步了解这些基础知识。.
  版图设计不是一个孤立的设计环节,它与一系列的技术相关联。本书从基本半导体理论开始介绍,进而阐述了在现代半导体技术中基本器件的发展,为读者提供了比版图设计的方法与技术。本书的一个突出特点是:在介绍版图设计的同时说明了为什么要这样设计,使读者知其然,知其所以然。本书内容的重点是版图设计的基础知识,对于新入行的从业者,这是一个良好的开端;对于有经验的设计者,则可作为对设计经验的回味和思考。...

作者简介

Christopher Saint现担任IBM West Coast Physical Design Group的经理,他曾经担任过Commquest GSM、AMPS和CDMA芯片组的版图设计首席工程师,曾在Analog Devices,LSI Logic以及GEC/Plessey半导体版图设计公司任职多年。
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目录

第1章 电路基础理论.
1.1 内容提要
1.2 引言
1.3 基本电路回顾
1.4 导体、绝缘体和半导体
1.5 半导体材料
1.6 pn结
1.7 半导体开关
1.8 场效应
1.9 开关隔离
1.10 增强型器件和耗尽型器件
1.11 互补型开关
1.12 n阱和衬底接触
1.13 逻辑电路
结束语
本章学过的内容
应用练习
第2章 硅加工工艺
2.1 内容提要
2.2 引言
.2.3 集成电路版图
2.4 硅晶圆制造
2.5 掺杂
2.6 生长材料层
2.7 去除材料层
2.8 光刻
2.9 芯片制造
2.10 自对准硅栅
结束语
本章学过的内容
第3章 cmos版图
3.1 内容提要
3.2 引言
3.3 器件尺寸设计
3.4 源漏区共用
3.5 器件连接技术
3.6 紧凑型版图
3.7 棒状图
3.8 阱连接和衬底连接
3.9 天线效应
3.10 多晶硅引线
3.11 图形关系
结束语
本章学过的内容
应用练习
第4章 电阻
4.1 内容提要
4.2 引言
4.3 电阻概述
4.4 电阻的测量
4.5 多晶硅电阻公式
4.6 实际电阻分析
4.7 实际的最小电阻尺寸
4.8 特殊要求的电阻
4.9 设计的重要依据——电流密度..
4.10 版图误差分析
4.11 基本材料的复用
4.12 扩散电阻和多晶硅电阻的比较
结束语
本章学过的内容
应用练习
第5章 电容
5.1 内容提要
5.2 引言
5.3 电容概述
5.4 电容值计算
5.5 n阱电容器
5.6 金属电容器
结束语
第6章 双极型晶体管
6.1 内容提要
6.2 引言
6.3 工作原理
6.4 纵向工艺
6.5 npn管的寄生效应
6.6 pnp晶体管
6.7 双极型晶体管版图与cmos版图的区别
结束语
本章学过的内容
第7章 二极管
7.1 内容提要
7.2 引言
7.3 二极管的种类
7.4 esd保护
7.5 特殊版图结构
结束语
本章学过的内容
第8章 电感
8.1 内容提要
8.2 引言
8.3 基本电感
8.4 传输线
8.5 螺旋电感
8.6 电感品质因子
8.7 叠层电感
8.8 邻近效应
结束语
本章学过的内容
术语
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