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定 价:¥86.00
作 者:(美)Theodore F.Bogart,Jeffrey S.Beasley,Guillermo Rico 著
出 版 社:清华大学出版社
出版时间:2006 年1月
I S B N:7302120897
| 本书选择题材时,主要考虑其在现代工业应用中的意义以及可能对新兴技术的影响,每一个新的原理均以系统或方框图的方式进行阐述,内容详尽且大多数章节配有Pspice的例题和大量的习题。新的仿真技术与新理论的学习同步进行,可以使学生对电子器件与电路有更深入的了解。 |
| 第1章 绪论. 1-1 电子学的学习 1-2 电子学简史 1-3 计算机的用途 1-4 电路分析与电路设计 第2章 pn结 2-1 简介 2-2 pn结的形成过程 2-3 二极管伏安特性 2-4 二极管的电流公式 2-5 辨别二极管的正向与反向偏置 模式 2-6 户n结电容 2-7 用electronics workbench multisim软件分析电路 小结 练习 第3章 电路元件——二极管 3-1 引言 3-2 非线性器件——二极管 3-3 交流电组和直流电阻 .3-4 含有二极管的直流电路的分析 3-5 初级电源 3-6 初级稳压 3-7 二极管类型、额定值及规格 3-8 multisim实验 小结 练习 第4章 双极型晶体管 4-1 引言 4-2 bjt工作原理 4-3 共基极特性 4-4 共发射极特性 4-5 共集电极的特性曲线 4-6 偏置电路 4-7 设计考虑因素 4-8 bjt反相器(晶体管开关) 4-9 晶体管的类型、额定值和规格 说明书 4-10 晶体管波形记录器 4-11 基于workbench multisim的 bjt电路分析 小结 练习 第5章 场效应晶体管 5-1 简介 5-2 结型场效应晶体管 5-3 jfet的偏置 5-4 jfet电流源 5-5 jfet作为模拟开关 5-6 生产商的数据表单 5-7 金属氧化物半导体场效应管 5-8 集成电路mosfet 5-9 vmos和dmos晶体管 5-10 用electronics workbench(ewb) multisim分析fet电路 小结 练习 第6章 放大器基本原理 6-1 引言 6-2 放大器特征 6-3 放大器模型 6-4 多级放大器 小结 练习 第7章 小信号晶体管放大器 7-1 引言 7-2 共射放大器的分析 7-3 用小信号模型分析放大器 7-4 直接耦合 7-5 其他小信号模型 7-6 共源jfet放大器 7-7 共漏和共栅jfet放大器 7-8 小信号mosfet放大器 7-9 muhisim仿真练习 小结 练习 第8章 理想运算放大器及分析 8-1 理想运算放大器 8-2 电压和、差和缩放 8-3 受控电压源和受控电流源 8-4 muhisim仿真练习 小结 练习 第9章 频率响应 9-1 定义和基本概念 9-2 分贝图和对数坐标图 9-3 串联电容和低频响应 9-4 并联电容和高频响应 9-5 瞬态响应 9-6 bjt放大器频率响应 9-7 fet放大器频率响应 9-8 muhisim仿真练习 小结 练习 第10章 运算放大器理论及其性能.. 10-1 模拟运算放大器 10-2 反馈理论 10-3 频率响应 10-4 转动率和上升时间 10-5 补偿电流和补偿电压 10-6 运算放大器说明书 10-7 multisim仿真练习 小结 练习 第11章 高级运算放大器的应用 11-1 电子积分 11-2 电子微分 11-3 移相电路 11-4 仪表放大器 11-5 有源滤波器 11-6 对数放大器 11-7 muhisim仿真练习 小结 练习 第12章 波形发生和整形 12-1 电压比较器 12-2 多谐振荡器和波形整形 12-3 振荡器 12-4 8038集成电路信号发生器 12-5 削波和整流电路 12-6 箝位电路 12-7 multisim仿真练习 小结 练习 第13章 稳压和开关电源 13-1 引言 13-2 稳压 13-3 串联和并联稳压器 13-4开关稳压器 13-5 可调集成电路稳压器 13-6 利用ewb分析稳压器电路 小结 练习 第14章 数字-模拟和模拟-数字转换器 14-1 概述 14-2 r-2r阶梯dac 14-3 加权电阻dac 14-4 开关电流源dac 14-5 开关电容dac 14-6 dac性能规格 14-7 计数器型adc 14-8 闪光a/d转换器 14-9 双斜率(积分)adc 14-10 连续近似值adc 14-11 adc性能规格 14-12 用ewb分析a/d电路 小结 练习 第15章 专用电子器件 15-1 四层结构器件 15-2 光电子器件 15-3 单结晶体管 15-4 隧道二极管 15-5 锁相环 15-6 采用electronics workbench muhisim 分析scr电路 小结 练习 第16章 功率放大器 16-1 功率放大器的定义、应用和种类 16-2 晶体管功率耗散 16-3 半导体器件中的热量转移 16-4 放大器类型和效率 16-5 推挽式放大器原理 16-6 推挽式驱动器 16-7 谐波失真和反馈 16-8 推挽式放大器的失真 16-9 无变压器的推挽式放大器 16-10 c类放大器 16-11 mosfet和d类功率放大器 小结 练习 第17章 晶体管模拟电路结构单元 17-1 引言 17-2 bit和mosfet小信号等效电路 17-3 电流源型/电流沟型 17-4 电流反射镜 17-5 增益级 17-6 差分放大器 17-7 密勒运算放大器 17-8 用electronics workbench multisim分析bjt增益级电路 小结 练习 第18章 超大规模集成数字电路设计 18-1 引言 18-2 cmos组合逻辑电路的晶体管-电平实现 18-3 cmos组合逻辑电路设计 18-4 cmos逻辑电路的瞬时性态 18-5 计时cmos超大规模集成电路 18-6 随机存取存储器和只读存储器 18-7 输入/输出(l/o)缓冲器 18-8 用ewb分析晶体管-电子逻辑电路 小结 练习 附录a spice和pspice a-1 引言 a-2 描述spice输入文件的电路 a-3 .dc和.print控制指令 a-4 .tran控制指令 a-5 正弦和脉冲源 a-6 初始瞬值方法 a-7 二极管模型 a-8 bjt模型 a-9 .temp指令 a-10 源和.ac控制指令 a-11 结型场效应晶体管(jfet) a-12 mos场效应管(mosfet) a-13 受控(从属)源 a-14 变压器 a-15 子电路 a-16 设计管理器 a-17 pspice库 附录b 电阻器的标准值与读取和选择电容器 b-1 电阻器的标准值 b-2 读取和选择电容器 附录c 频率响应的推导 附录d 半导体理论 d-1 引言 d-2 原子结构 d-3 半导体材料 d-4 半导体中的电流 d-5 p型和n型半导体 d-6 pn结 d-7 正向偏置结和反向偏置结 d-8 半导体术语表 部分习题参考答案... |
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