| 《科学前沿丛书》序 本书序 前言 第1章 Si1-xGex/Si合金应变层及超晶格的基本性质 1.1 Si1-xGex合金应变层内的应力 1.2 Si1-xGex/Si异质材料的共度生长临界厚度 1.3 Si1-xGex/Si应变层超晶格的应变特性 1.4 Si1-xGex/Si异质结构的能带排列 1.5 Si1-xGex/Si量子阱和超晶格的电子态 第2章 Si分了束外延生长技术 2.1 Si分子束外延设备简介 2.2 原位分析与监控 2.3 分子束外延中衬底材料的表面处理技术 2.4 Si、Ge材料的外延生长 第3章 Si1-xGex/Si超晶格、量子阱的结构表征 3.1 X射线散射和衍射 3.2 透射电子显微观察 3.3 卢瑟福背散射谱 3.4 俄歇电子能谱和二次离子质谱深度剖析 第4章 Si1-xGex/Si低维结构材料的电学性质 4.1 Si1-xGex/Si量子阱结构的C-V特性 4.2 量子井结构的导纳谱研究 4.3 用异纳谱研究Si1-xGex/Si量子阱中的量子限制效应 4.4 用DLTS研究Si分子束外延层的界面缺陷 第5章 Si1-xGex/Si异质结构和超晶格的光学特性 5.1 Si1-xGex/Si超晶格的光散射特性 5.2 Si1-xGex/Si量子阱的发光特性 5.3 Si1-xGex/Si异质结构的吸收、调制反射和非线性光谱 第6章 Si基Ge量子点材料 6.1 Si基Ge量子点材料的生长、表征及其发光特性 6.2 Si基Ge量子点的能级结构和库仑荷电效应 6.3 Si基Ge量子点的空穴俘获过程的研究 第7章 Si1-xGex/Si分子束外延材料的器件应用 7.1 Si1-xGex/Si基区HBT 7.2 Si1-xGex/Si埋沟MOS场效管 7.3 P+-Si1-xGex/Si异质结内光电发射型红外探测器 7.4 Si1-xGex/Si多量子阱型探测器 7.5 Si1-xGex/Si光电集成电路 索引 |
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