| 再版前言 前言 绪论 第1章 硅和锗的化学制备 1-1硅和锗的物理化学性质 1-2高纯硅的制备 1-3锗的富集与提纯 第2章 区熔提纯 2-1分凝现象与分凝系数 2-2区熔原理 2-3锗的区熔提纯 第3章 晶体生长 3-1晶体生长理论基础 3-2熔体的晶体生长 3-3硅、锗单晶生长 第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 4-1硅、锗晶体中杂质的性质 4-2硅、锗晶体的掺杂 4-3硅、锗单晶的位错 4-4硅单晶中的微缺陷 .第5章 硅外延生长 5-1外延生长概述 5-2硅的气相外延生长 5-3硅外延层电阻率的控制 5-4硅外延层的缺陷 5-5硅的异质外延 第6章 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 6-1ⅲ-ⅴ族化合物半导体的特性 6-2砷化镓单晶的生长方法 6-3砷化镓单晶中杂质的控制 6-4砷化镓单晶的完整性 6-5其他ⅲ-ⅴ族化合物的制备 第7章 ⅲ-ⅴ族化合物半导体的外延生长 7-1气相外延生长(vpe) 7-2金属有机物气相外延生长(movpe) 7-3液相外延生长(lpe) 7-4分子束外延生长(mbe) 7-5化学束外延生长(cbe) 7-6其他外延生长技术 第8章 ⅲ-ⅴ族多元化合物半导体 8-1异质结与晶格失配 8-2gaalas外延生长 8-3ingan外延生长 8-4ingaasp外延生长 8-5超晶格与量子阱 8-6应变超晶格 8-7能带工程 第9章 ⅱ-ⅵ族化合物半导体 9-1ⅱ-ⅵ族化合物单晶材料的制备 9-2ⅱ-ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 9-3ⅱ-ⅵ族多元化合物材料 9-4ⅱ-ⅵ族超晶格材料 第10章 氧化物半导体材料 10-1氧化物半导体材料的制备 10-2氧化物半导体材料的电学性质 10-3氧化物半导体材料的应用 第11章 其他半导体材料 11-1窄带隙半导体 11-2黄铜矿型半导体 11-3纳米晶材料 11-4非晶态半导体材料 11-5有机半导体材料 参考文献 |
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