| 第1章 集成电路基础 1·1半导体集成电路与信息处理 1·2半导体与能量间隙 1·3n型、p型半导体与费米能级 1·4pn结与能带 1·5MOS结构中耗尽层的形成 1·6MOS存储器 1·7MOS逻辑电路 练习题 第2章 MOS器件的工作与微细化 2·1MOS晶体管的工作特性 2·1·1硅氧化膜与硅界面系统中的可动电荷与固定电荷 2·1·2MOS晶体管的结构与工作特性 2·1·3MOS晶体管的结构及其引起的各种现象与面临的课题 2·2MOS晶体管的工作模型与器件模拟 2·2·1MOS晶体管工作的基本模型 2·2·2MOS晶体管的结构设计与器件模拟 2·2·3器件模拟的课题 2·3微细化的目的与设计指导思想，等比例缩小规则的出发点与现实 2·3·1MOS晶体管微细化的目的与设计指导思想 2·3·2等比例缩小规则的出发点与发展过程 2·3·3等比例缩小的限度与现代器件设计 2·4半导体存储器结构的历史与末来 2·4·1存储器的结构与历史 2·4·2信息积蓄电容与高介电常数薄膜，强电介质薄膜 练习题 第3章 基本电路与版图设计 3·1CMOS反相电路 3·1·1CMOS反相器的结构 3·1·2直流传输特性 3·1·3CMOS的特性 3·2传输门(TG) 3·3CMOS逻辑电路举例 3·3·1双输入与非门NAND 3·3·2双输入与或门NOR 3·3·3复合门 3·3·4双输入XOR(EXOR)门(异或逻辑) 3·3·5触发器与锁存器 3·4存储器集成电路 3·4·1存储器的结构及种类 3·4·2动态存储器(DRAM) 3·4·3静态存储器(SRAM) 3·4·4掩模ROM 3·4·5EPROM(Electrically Programmable ROM) 3·4·6EEPROM(Electrically Erasab1e and Programmable ROM) 3·4·7快闪只读存储器 3·5版图设计 3·5·1设计规则 3·5·2LSI版图设计方法 练习题 第4章 LSI制造技术 4·1基本工艺与工艺流程 4·1·1基本工艺 4·1·2工艺流程 4·1·3工.. |
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