| Gary S.May是半导体制造领域的世界级专家，IEEE会士，现任佐治亚理工学院电子和计算机工程学院院长、教授。May于1991年获得加州大学伯克利分校博士学位，此后任职于贝尔实验室和麦道公司。曾担任半导体领域权威期刊IEEE Transactions of Semiconductor manufacturing主编。 |
| 第1章 概述 1.1 半导体材料 1.2 半导体器件 1.3 半导体工艺技术 1.3.1 关键半导体技术 1.3.2 技术趋势 1.4 基本制造步骤 1.4.1 氧化 1.4.2 光刻和刻蚀 1.4.3 扩散和离子注入 1.4.4 金属化 1.5 小结 参考文献 第2章 晶体生长 2.1 从熔体生长硅单晶 2.1.1 初始原料 2.1.2 Czpcjralslo法 2.1.3 杂质分布 2.1.4 有效分凝系数 2.2 硅悬浮区熔法 2.3 GaAs晶体生长技术 2.3.1 初始材料 2.3.2 晶体生长技术 2.4 材料特征 2.4.1 晶片整形 2.4.2 晶体特征 2.5 小结 参考文献 习题 第3章 硅氧化 3.1 热氧化方法 3.1.1 生长动力学 3.1.2 薄氧化层生长 3.2 氧化过程中杂质再分布 3.3 二氧化硅掩模特性 3.4 氧化层质量 3.5 氧化层厚度表征 3.6 氧化模拟 3.7 小结 参考文献 习题 第4章 光刻 4.1 光学光刻 4.1.1 超净间 4.1.2 曝光设备 4.1.3 掩模 4.1.4 光致抗蚀剂 4.1.5 图形转移 4.1.6 分辨率增强工艺 4.2 下一代光刻方法 4.2.1 电子束光刻 4.2.2 极短紫外光刻 4.2.3 X射线光刻 4.2.4 离子束光刻 4.2.5 各种光刻方法比较 4.3 光刻模拟 4.4 小结 参考文献 习题 第5章 刻蚀 第6章 扩散 第7章 离子注入 第8章 薄膜淀积 第9章 工艺集成 第10章 IC制造 第11章 未来趋势和挑战 附录A 符号表 附录B 国示单位制 附录C 单位词头 附录D 希腊字母表 附录E 物理常数 附录F 300K时Si和GaAs的性质 附录G 误差函数的一些性质 附录H 气体基本动力学理论 附录I SUPREM命令 附录J 运行PROLITH 附录K t分布的百分点 附录L F分布的百分点 索引 |
内容加载中，请稍后...
商品评论（0条）