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| 黄章勇,1945年5月22日出生,汉族,浙江义乌市人。现任深圳飞通光电股份有限公司董事、总裁,教授级高级工程师,北京邮电大学兼职教授(博士生导师),哈尔滨工业大学深圳研究生院兼职教授,美国光学学会会员,中国电子学会半导体与集成技术分会委员,信息产业部通信科技委电信传输专家咨询组成员。1968年成都电讯工程学院(现电子科技大学)电子器件设计与制造专业毕业,1981年获北京邮电大学工学硕士学位。长期从事光电子器件的研究开发,先后主持0.9微米、1.06微米硅光电二极管、钛扩散LiNbO3波导及其开关/调制器、1.3微米和1.55微米激光二极管等研究,获电子部科技成果一等奖、国家科技进步二等奖、广东省科技进步二等奖。1991年被国家教委、国务院学位委员会授予“做出突出贡献的中国硕士学位获得者”称号,1996年经国务院批准为享受政府特殊津贴人员,2003年荣获“深圳市首届创业企业家”称号。迄今,先后在国内外发表学术论文近40篇,并于2001年和2003年出版著作《光纤通信用光电子器件与组件》、《光纤通信用新型光无源器件》。
从1998年起致力于光纤通信光电子器件产业化,1993年创立深圳飞通光电股份有限公司,成为国际著名的光电子器件生产基地和出口基地,科技部认定为国家“863”计划成果产业化基地和国家火炬计划重点高新技术企业,2001年3月被评为“863”计划先进集体,2003年12月被国家人事部获准设立“博士后科研工作站”。 |
| 第1章 器件与工艺技术物理基础 1.1 能带概念 1.2 本征半导体与态密度 1.3 施主与受主 1.4 杂质电离 1.5 载流子的运动 1.6 p-n结 1.7 p-n结击穿 1.8 异质结 第2章 光电子器件的基本结构及其关键制作工艺 2.1 激光二级管的基本结构和制作 2.2 光电探测器的结构和制作 2.3 半导体放大器的结构和制作 2.4 光调制器的结构与制作 2.5 半导体光开关的结构和制作 2.6 集成光电子器件的结构和制作 第3章 光电子器件的材料制备技术 3.1 基底片制备 3.2 光电子器件用Si基材料的制备 3.3 光电子器件用Ⅲ-V族化合物半导体材料和外延生长 3.4 Ⅲ-V族化合物的液相外延生长 3.5 Ⅲ-V族化合物的卤化物输运汽相外延生长 3.6 金属有机化合物汽相淀积 3.7 分子束外延生长 3.8 化学束外延生长 3.9 原子层、分子层外延生长 3.10 Ⅲ-V族化合物低维半导体材料的制备技术 3.11 光子晶体薄膜有其制备 3.12 异质材料的晶片键合技术 3.13 光电子器件外延层质量检测 第4章 光电子器件制作中的光刻和腐蚀 第5章 光电子器件的掺杂技术 第6章 光电子器件中的介质薄膜及其制备 第7章 光电子器件的电极金属膜及其制备 第8章 光电子器件和组件的组装和封装 第9章 光电子器件在制作和使用中引入缺陷及其缺陷控制和检测 附录 英文缩写词 参考文献 |
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