CMOS超大规模集成电路设计（第三版）

.2.3 c-v特性
2.4 非线性i-v效应
2.5 直流传输特性
2.6 开关级rc延迟模型
2.7 常见误区
本章小结
习题
第3章 cmos工艺技术
3.1 引言
3.2 cmos技术
3.3 版图设计规则
3.4 cmos工艺增强技术
3.5 与工艺相关的cad问题
3.6 有关制造问题
3.7 常见误区
3.8 历史透视
本章小结
习题
第4章 电路表征及性能评价
4.1 引言
4.2 延迟估算
4.3 逻辑功效与晶体管缩放
4.4 功耗
4.5 互连
4.6 布线工程
4.7 设计容限
4.8 可靠性
4.9 按比例缩小
4.10 常见误区
4.11 历史透视
本章小结
习题
第5章 电路模拟
5.1 概述
5.2 spice模拟器简介
5.3 器件模型
5.4 描述器件特性
5.5 电路特性的表征
5.6 互连模拟
5.7 常见误区
本章小结
习题
第6章 组合电路设计
6.1 引言
6.2 电路系列
6.3 电路缺陷
6.4 其他电路系列
6.5 低功耗逻辑设计
6.6 各种电路系列的比较
6.7 soi电路设计
6.8 常见误区
6.9 历史透视
本章小结
习题
第7章 时序电路设计
7.1 引言
7.2 静态电路的时序控制..
7.3 锁存器和触发器的电路设计
7.4 静态时序元件设计方法学
7.5 动态电路的时序控制
7.6 同步器
7.7 行波流水
7.8 常见误区
7.9 案例分析：pentium 4和itanium 2的时序控制策略
本章小结
习题
第8章 设计方法学和工具
8.1 引言
8.2 结构化设计策略
8.3 设计方法
8.4 设计流程
8.5 设计经济学
8.6 数据表和文档
8.7 缩小asic设计和定制设计之间的差距
8.8 cmos物理设计风格
8.9 交换格式
8.10 历史透视
8.11 常见误区
习题
第9章 测试和验证
9.1 引言
9.2 测试器、测试夹具和测试程序
9.3 逻辑验证原理
9.4 硅片调试原理
9.5 制造测试原理
9.6 可测性设计
9.7 边界扫描
9.8 soc测试
9.9 混合信号测试
9.10 可靠性测试
9.11 大学环境中的测试
9.12 常见误区
本章小结
习题
第10章 数据通路子系统
10.1 引言
10.2 加法/减法
10.3 1/0检测器
10.4 比较器
10.5 计数器
10.6 布尔逻辑运算
10.7 编码
10.8 移位器
10.9 乘法
10.10 前置并行计算
10.11 常见误区
10.12 历史透视
本章小结
习题
第11章 阵列子系统
11.1 引言
11.2 sram
11.3 dram
11.4 只读存储器
11.5 顺序存取存储器
11.6 按内容寻址存储器
11.7 可编程逻辑阵列
11.8 阵列的成品率、可靠性和自测试
11.9 历史透视
本章小结
习题
第12章 专用子系统
12.1 引言
12.2 封装
12.3 电源分布
12.4 i/o
12.5 时钟
12.6 模拟电路
12.7 常见误区
12.8 历史透视
本章小结
习题
附录a verilog
a.1 概述
a.2 基于连续赋值语句的行为级建模
a.3 基本结构
a.4 基于always语句块的行为级建模
a.5 有限状态机
a.6 参数化模块
a.7 结构原语
a.8 测试程序
a.9 常见误区
a.10 实例：mips处理器
附录b vhdl
b.1 概述
b.2 基于并发信号赋值的行为级建模
b.3 基本结构
b.4 基于process语句的行为级建模
b.5 有限状态机
b.6 参数化模块
b.7 实例：mips处理器...