本书全面介绍了现代半导体集成电路的基础知识．分析与设计方法。全书共分为五个部分：第一部分 |
| 第1章 集成电路器件与模型 1.1 pn结与二极管 1.1.1 半导体与pn结 1.1.2 pn结二极管基本原理 1.1.3 集成化的肖特基势垒二极管 1.2 mos晶体管及模型 1.2.1 mos晶体管基本工作原理 1.2.2 mos晶体管大信号模型及体效应 1.2.3 mos晶体管小信号模型 1.2.4 nmos晶体管的亚阈值特性 1.2.5 mos晶体管的短沟道效应 1.3 双极型晶体管及模型 1.3.1 bipolar晶体管基本工作原理 1.3.2 bipolar晶体管大信号模型 1.3.3 bipolar晶体管小信号模型 1.4 集成电路无源元件 1.4.1 cmos集成电容 1.4.2 cmos集成电阻 1.5 mos spice器件模型 1.5.1 spice levell模型 1.5.2 spice level2模型 1.5.3 spice level3模型 1.5.4 spice bsim3v3模型 习题一 第2章 集成电路制造技术 2.1 集成电路基本制造技术 2.1.1 硅晶圆的制造 2.1.2 氧化技术 2.1.3 扩散与离子注入 2.2 基本cmos工艺与器件结构 2.2.1 基本n阱／双阱cmos工艺步骤 2.2.2 cmos版图设计规则 2.3 基本bipolar工艺与器件结构 2.3.l pn结隔离与基本工序步骤 2.3.2 bipolar版图设计规则 2.3.3 bipolar工艺的光刻版次 2.4 基本bicmos工艺 2.4.1 以cmos工艺为基础的bicmos工艺 2.4.2 以bipolar工艺为基础的bicmos工艺 2.4.3 典型的bicmos的光刻版次 习题二 第3章 晶体管一晶体管逻辑（ttl）电路 3.1 六管单元ttl与非门 3.1.1 工作原理 3.1.2 电压传输特性 3.1.3 瞬态特性 3.1.4 电路特点 3.2 sttl和lsttl电路 3.2.1 sttl电路 3.2.2 1 sitl电路 3.3 ttl门电路逻辑扩展 3.4 简化逻辑门 3.4.1 简化逻辑门 3.4.2 单管逻辑门 习题三 第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路 4.1 ecl电路 4.1.1 基本工作原理 4.1.2 射极耦合电流开关 4.1.3 射极输出器 4.1.4 参考电压源 4.1.5 ecl逻辑扩展 4.2 i2l电路 4.2.1 i2l电路单元工作原理 4.2.2 i2l电路特性分析 4.2.3 i2l电路逻辑组合 4.2.4 i2i与ttl之间的接口电路 4.3 ecl和i2l工艺与版图设计 4.3.1 ecl电路工艺与版图设计 4.3.2 i2l电路工艺与版图设计 习题四 第5章 双极模拟集成电路 5.1 bipolar基本放大器 5.1.1 darlington放大器 …… 第6章 cmos基本逻辑电路 第7章 cmos数字电路子系统 第8章 现代半导体存储器 第9章 cmos基本模拟电路 第10章 cmos运算放大器 第11章 cmos开关电容电路 第12章 cmos数据转换器 第13章 cmos锁相环（pll） 第14章 集成电路版图设计 第15章 集成电路可靠性设计与可测性设计 第16章 片上系统（soc）设计初步 参考文献 |
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