| 第1章 绪论 1.1 历史和动态 1.2 内容安排和说明 参考文献 第2章 化合物半导体材料与器件基础 2.1 半导体材料的分类 2.1.1 元素半导体 2.1.2 化合物半导体 2.1.3 半导体固溶体 2.2 化合物半导体材料特性 2.2.1 晶格结构 2.2.2 晶体的化学键和极化 2.2.3 能带结构 2.2.4 施主和受主能级 2.2.5 迁移率 2.3 化合物半导体器件的发展方向 思考题 参考文献 第3章 半导体异质结 3.1 异质结及其能带图 3.1.1 异质结的形成 3.1.2 异质结的能带图 3.2 异型异质结的电学特性 3.2.1 突变异质结的伏安特性和注入特性 3.2.2 界面态的影响 3.2.3 异质结的超注入现象 3.3 量子阱与二维电子气 3.3.1 二维电子气的形成及能态 3.3.2 二维电子气的态密度 3.4 多量子阱与超晶格 思考题 参考文献 第4章 异质结双极晶体管 4.1 HBT的基本结构 4.1.1 基本的HBT结构 4.1.2 突变结和组分渐变异质结 4.2 HBT的增益 4.2.1 理想HBT的增益 4.2.2 考虑界面复合后HBT的增益 4.2.3 HBT增益与温度的关系 ? 4.3 HBT的频率特性 4.3.1 最大振荡频率 4.3.2 开关时间 4.3.3 宽带隙集电区 4.4 先进的HBT 4.4.1 Si?SiGeHBT 4.4.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物基HBT 思考题 参考文献 第5章 化合物半导体场效应晶体管 5.1 金属半导体肖特基接触 5.1.1 能带结构 5.1.2 基本模型 5.2 金属半导体场效应晶体管（MESFET） 5.2.1 MESFET器件结构 5.2.2 工作原理 5.2.3 电流—电压特性 5.2.4 负阻效应与高场畴 5.2.5 高频特性 5.2.6 噪声理论 5.2.7 功率特性 5.3 调制掺杂场效应晶体管 5.3.1 调制掺杂结构 5.3.2 基本原理 5.3.3 电流—电压特性 思考题 参考文献 第6章 量子器件与热电子器件 第7章 半导体光电子器件 ? 第8章 宽带隙化合物半导体器件 |
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