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作 者：(比)克拉艾(Claeys C.) (比)西蒙恩(Simoen E.) 刘忠立 著
出 版 社：国防工业出版社
出版时间：2008-03
I S B N：9787118054088
| 本书特别强调辐射效应的基本物理，介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的最新进展，对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。 |
| 符号表 希腊符号表 第1章 辐射环境及器件选择策略 1.1 引言 1.2 辐射环境 1.2.1 空间环境 1.2.2 高能物理实验 1.2.3 核环境 1.2.4 天然环境 1.2.5 加工工艺引入的辐射 1.3 器件选择策略 1.4 小结 第2章 半导体材料及器件的基本辐射损伤机理 2.1 引言 2.2 基本损伤机理 2.2.1 计量单位 2.2.2 电离损伤 2.2.3 位移损伤 2.3 辐射损伤对器件特性的影响 2.3.1 电离损伤 2.3.2 位移损伤 2.4 微观辐射损伤的谱学研究 2.4.1 电子顺磁共振（EPR） 2.4.2 深能级瞬态谱（DLTS） 2.4.3 光致发光谱（PL） 2.5 小结 第3章 Iv族半导体材料中的位移损伤 3.1 引言 3.2 硅的位移损伤 3.2.1 硅的辐射缺陷 3.2.2 辐射缺陷对硅器件的影响 3.2.3 衬底及器件的加固 3.2.4 硅辐射缺陷的小结 3.3 锗的位移损伤 3.3.1 Ge的潜在应用 3.3.2 Ge的低温辐照 3.3.3 Ge的室温辐照 3.3.4 辐射损伤对Ge材料及器件的影响 3.3.5 Ge辐射缺陷的小结 3.4 SiGe合金的位移损伤 3.4.1 SiGe材料的性质及应用 3.4.2 SiGe的辐射损伤 3.4.3 SiGe加工工艺引入的辐射损伤 3.4.4 SiGe器件的辐射损伤 3.4.5 SiGe合金辐射损伤小结 3.5 Ⅳ族半导体总的小结 第4章 GaAs的辐射损伤 4.1 引言 4.2 基本符号及定义 4.3 GaAs中原生的及辐射引入的点缺陷 |
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