Erich Kasper（卡斯珀），自1994年以来一直担任德国斯图加特大学半导体研究所所长，长期从事量子电子器件的理论和纳米结构自组织的器件结构MBE研究工作，在SiGe的研究领域具有很高的国际声望，并有两本专著和近百篇论文发表。 .. << 查看详细 |
第一章 引言 1.1 应力引起的外延薄膜的形貌不稳定性和成岛 1.2 sige／si系统中失配位错网络的平衡理论 1.3 sige／si系统中亚稳应变层的结构 第二章 结构特性 2.1 sige合金系的晶体结构、晶格常数和固一液相图 2.2 sige合金的有序性 2.3 si／ge界面：结构、能量和互扩散 第三章 热学、力学和晶格振动学性质 3.1 sige的弹性常数 3.2 sige的热力学性质 3.3 sige中的光学声子、声学声子和raman光谱 第四章 能带结构 4.1 sige的能隙和能带结构及它们同温度的依赖关系 4.2 应变对sige价带结构的影响 4.3 应变对sige导带结构的影响 4.4 sige中的有效质量 4.5 sige异质结和带偏移 4.6 sige的光谱 . 4.7 弛豫的sige合金的光学函数及应变对光学函数的影响 第五章 运输特性 5.1 sige/si 系中的电子和空穴的迁移率 5.2 si/sige 异质结的注入 5.3 sige/si 结构中的磁运输特性 第六章 表面性质 第七章 si 基器件的结构和重要数据集锦 |
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