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半导体器件物理与工艺(第二版)

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半导体器件物理与工艺(第二版)

最 低 价:¥37.90

定 价:¥55.00

作 者:(美)施敏

出 版 社:苏州大学出版社

出版时间:2002-12-1

I S B N: 9787810900157

价格
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《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。

内容简介

本书主要介绍了现代半导体器件的物理原理、集成电路的工作原理及制作的工艺技术,全书共有三个部分、十四章,有十二个附录。

作者简介

目录

第1章 简介
 1.1 半导体器件
 1.2 半导体工艺技术
 总结
 参考史献
第1部分 半导体物理
 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
  2.1 半导体捌料
  2.2 基本晶体结构
  2.3 基本晶体生长技术
  2.4 共价健
  2.5 能带
  2.6 本征载流子浓度
  2.7 施主与受主
  总结
  参考文献
  习题
 第3章 载流子输运现象
  3.1 载流子漂移
  3.2 载流子扩散
  3.3 产生与复合过程
  3.4 连续性方程斌
  3.5 热电子发射过程
  3.6 隧穿过程
  3.7 强电场效应
  总结
  参考文献
  习题
第2部分 半导体器件
 第4章 p-n结
  4.1 基本工艺步骤
  4.2 热平衡状态
  4.3 耗尽区
  4.4 耗尽层势垒电容
  4.5 电流-电压特性
  4.6 电荷储存与暂态响应
  4.7 结击穿
  4.8 异质结
  总结
  参考文献
  习题
 第5章 双极型晶体管及相关器件
  5.1 晶体管的工作原理
  5.2 双极型晶体管的静态特性
  5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
  5.4 异质结双极型晶体管
  5.5 可控砟器件及相关功率器件
  总结
  参考文献
  习题
 第6章 m0sfet及相关器件
  6.1 mos二极管
  6.2 mosfet基本原理
  6.3 mosfet按比例缩小
  6.4 cmos与双极型cmos(bicmos)
  6.5 绝缘层上mospet(soi)
  6.6 mos存储器结构
  6.7 功率m05fet
  总结
  参号文献
  习题
 第7章 mesfet及相关器件
  7.1 金属-半导体接触
  7.2 金十场效应晶体管(mesfet)
  7.3 调制摻杂场效应晶体管
  总结
  参考文献
  习题
 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
  8.1 基奉微波技术
  8.2 隧道二极管
  8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
……
第9章 光电器件
第3部分 半导体工艺
第10章 晶体长生外延
第11章 薄膜淀积
第12章 图形曝光与刻蚀
第13章 杂质掺杂
第14章 集成器件
附表
索引

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